化学的機械研磨方法及び化学的機械研磨装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：松浦憲三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002142632
Publication number (International publication number)：2003332274
Application date： May. 17, 2002
Publication date： Nov. 21, 2003
Summary：

【要約】【課題】研磨中にウエーハ表面が酸化されて電気伝導率が変化し、それが研磨レートの変化につながることを防止する、電解研磨を付加した化学的機械研磨方法及びその装置を提供すること。【解決手段】研磨手段(研磨部)16を大気とは別組成の雰囲気のチャンバ13内に密閉収容し、研磨手段(研磨部)16の雰囲気を大気とは異なる組成の雰囲気にすると共に、ウエーハWと研磨パッド34aとの間に電圧を印加して、電解作用を行わせながら前記ウエーハWを研磨するように構成した。これにより研磨手段(研磨部)16は酸素が極度に少ない雰囲気となり、ウエーハWの表面が酸化されず研磨レートが安定するようにした。

Claim (excerpt)：

スラリを供給しながら、表面に導電性膜が形成されたウエーハを研磨パッドに押付けて、該表面を平坦化する化学的機械研磨方法において、研磨部の雰囲気を大気とは異なる組成の雰囲気にすると共に、前記ウエーハと前記研磨パッドとの間に電圧を印加して、電解作用を行わせながら前記ウエーハを研磨することを特徴とする化学的機械研磨方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 621 , H01L 21/304 , B24B 37/00

FI (3)：

H01L 21/304 621 Z , H01L 21/304 621 D , B24B 37/00 Z

F-Term (3)：

3C058AA07 , 3C058CA01 , 3C058DA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ウェーハの研削方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-003622 Applicant：株式会社ディスコ
研磨装置および研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-115687 Applicant：ソニー株式会社
半導体製造装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-312834 Applicant：ソニー株式会社

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