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J-GLOBAL ID：200903072130439191

半導体装置、半導体レーザ及びその製造方法並びにエッチング方法

Inventor：
石 川 正 行

About 石 川 正 行

, 
布 上 真 也

About 布 上 真 也


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000199217
Publication number (International publication number)：2002026456
Application date： Jun. 30, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 複雑なプロセスをなくし、歩留まりが高く、低コスト化に必要な量産性があり、良好な初期特性や信頼性をもつ半導体装置、半導体レーザを提供する。【解決手段】 複数のIII族元素を含む窒化物半導体層108が凹凸のある基体表面上に形成されてなることにより、上記窒化物半導体層108におけるIII族元素の組成比、バンドギャップエネルギ、屈折率、導電性、抵抗率の少なくとも一つが、上記基体の凹凸に対応して、層内で変化するようにする。また、水素を含む雰囲気中で加熱しAlを含む層をエッチングストップ層103として用いることにより、エッチング深さのばらつき等の影響を受けず制御性の向上と歩留まりの向上を図れる。また、エッチングおよび再成長を連続して行えるため、安価なプロセスが可能である。
Claim (excerpt)：
少なくとも1つの凹部を有する基体と、2種類以上のIII族元素を含み、前記凹部を埋め込むように前記基体上に堆積された窒化物半導体層と、を備え、前記窒化物半導体層における前記2種類以上のIII族元素の組成比が、前記凹部とそれ以外の部分とにおいて異なることを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01S 5/24 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (4)：
H01S 5/24 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343 ,  H01L 21/302 J
F-Term (39)：
5F004AA04 ,  5F004BA19 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DB19 ,  5F004EA03 ,  5F004EA06 ,  5F004EA10 ,  5F004EA23 ,  5F004EB08 ,  5F041AA41 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CB03 ,  5F073AA20 ,  5F073AA53 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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