窒化物半導体素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：豊栖康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998199829
Publication number (International publication number)：2000068594
Application date： Jun. 29, 1998
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：

【要約】【課題】 LED及びLD等の窒化物半導体素子の出力を向上させると共に、Vf、閾値電圧を低下させて素子の信頼性を向上させる。【解決手段】基板と活性層の間に、少なくとも一方にはn型不純物がドープされた第1と第2の窒化物半導体層を含む複数の層が積層された超格子層を備えた。

Claim (excerpt)：

基板と活性層の間に、少なくとも一方にはn型不純物がドープされた第1と第2の窒化物半導体層を含む複数の層が積層された超格子層を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01S 5/30 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

F-Term (23)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA14 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CB04 , 5F041CB05 , 5F041FF01 , 5F041FF11 , 5F073AA04 , 5F073AA55 , 5F073AA71 , 5F073AA73 , 5F073AA74 , 5F073AA76 , 5F073AA77 , 5F073BA09 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073EA23

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-293580 Applicant：ソニー株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-305257 Applicant：旭化成工業株式会社
窒化ガリウムアルミニウム半導体の結晶成長方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-292304 Applicant：日亜化学工業株式会社

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Cited by examiner (7)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-293580 Applicant：ソニー株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-305257 Applicant：旭化成工業株式会社
窒化ガリウムアルミニウム半導体の結晶成長方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-292304 Applicant：日亜化学工業株式会社

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