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J-GLOBAL ID:200903072535785984
クリーニング方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
浅井 章弘
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000186942
Publication number (International publication number):2002008991
Application date: Jun. 21, 2000
Publication date: Jan. 11, 2002
Summary:
【要約】【課題】 石英製の処理容器等に損傷を与えることなく不要な膜を効率的に除去することが可能なクリーニング方法を提供する。【解決手段】 半導体ウエハ等の被処理体Wに膜を堆積させる処理容器8内にクリーニングガスを流して不要な膜を除去するクリーニング方法において、前記クリーニングガスを予めガス加熱機構52で加熱して例えば活性化し、この状態で処理容器内へ流し込む。これにより、石英製の処理容器等に損傷を与えることなく不要な膜を効率的に除去する。
Claim (excerpt):
真空引き可能な処理容器内にクリーニングガスを流して不要な膜を除去するクリーニング方法において、前記クリーニングガスを予め所定の温度に予備加熱し、この予備加熱されたクリーニングガスを前記処理容器内へ導入するようにしたことを特徴とするクリーニング方法。
IPC (3):
H01L 21/205
, C23C 16/44
, H01L 21/3065
FI (3):
H01L 21/205
, C23C 16/44 J
, H01L 21/302 N
F-Term (19):
4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA06
, 4K030KA04
, 4K030KA25
, 4K030KA41
, 5F004AA15
, 5F004BB19
, 5F004BB29
, 5F045AA06
, 5F045AD06
, 5F045AD07
, 5F045DP19
, 5F045EB03
, 5F045EB06
, 5F045EC02
, 5F045EE06
, 5F045EK21
, 5F045EM10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
-
薄膜の形成方法およびその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-236718
Applicant:日本電気株式会社
-
CVD装置のクリーニング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-324954
Applicant:日立電子エンジニアリング株式会社
-
薄膜形成装置及び薄膜形成装置のクリーニング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-017339
Applicant:三菱電機株式会社
-
プラズマCVD装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-128995
Applicant:三菱電機株式会社
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