Pat
J-GLOBAL ID:200903094151231187
プラズマCVD装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
高田 守
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994128995
Publication number (International publication number):1995335563
Application date: Jun. 10, 1994
Publication date: Dec. 22, 1995
Summary:
【要約】【目的】 プラズマCVD装置でクリーニング時に反応容器内の部品に損傷を与えないのでクリーニングができ、安価で且つ少ない発塵量でウエハの成膜を可能にすること。【構成】 真空排気系2を有する反応容器1内に反応ガスを導入し、互いに平行配置したウエハステージ4と高周波電極3間に印加される高周波電圧によってプラズマを発生させ、ウエハステージ4に載置されたウエハを成膜するプラズマCVD装置において、反応容器1と連通するクリーニングガス導入系6と、クリーニングガス導入系6にクリーニングガス9の活性化手段7,8を設けた。
Claim (excerpt):
真空排気系を有する反応容器内に反応ガスを導入し、互いに平行配置したウエハステージと高周波電極間に印加される高周波電圧によってプラズマを発生させ、上記ウエハステージに載置されたウエハを成膜するプラズマCVD装置において、上記反応容器と連通するクリーニングガス導入系と、上記クリーニングガス導入系にクリーニングガスの活性化手段を備えていることを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (4):
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C23C 16/50
, C23F 4/00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
-
半導体素子用プラズマ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-079094
Applicant:株式会社東芝
-
気相成長装置のクリーニング方法と気相成長装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-117060
Applicant:富士通株式会社
-
特開昭59-181530
-
CVD装置のクリーニング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-324954
Applicant:日立電子エンジニアリング株式会社
-
炉心管
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-269523
Applicant:日本電気株式会社
-
特開昭63-267430
Show all
Return to Previous Page