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J-GLOBAL ID:200903094151231187

プラズマCVD装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高田 守
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994128995
Publication number (International publication number):1995335563
Application date: Jun. 10, 1994
Publication date: Dec. 22, 1995
Summary:
【要約】【目的】 プラズマCVD装置でクリーニング時に反応容器内の部品に損傷を与えないのでクリーニングができ、安価で且つ少ない発塵量でウエハの成膜を可能にすること。【構成】 真空排気系2を有する反応容器1内に反応ガスを導入し、互いに平行配置したウエハステージ4と高周波電極3間に印加される高周波電圧によってプラズマを発生させ、ウエハステージ4に載置されたウエハを成膜するプラズマCVD装置において、反応容器1と連通するクリーニングガス導入系6と、クリーニングガス導入系6にクリーニングガス9の活性化手段7,8を設けた。
Claim (excerpt):
真空排気系を有する反応容器内に反応ガスを導入し、互いに平行配置したウエハステージと高周波電極間に印加される高周波電圧によってプラズマを発生させ、上記ウエハステージに載置されたウエハを成膜するプラズマCVD装置において、上記反応容器と連通するクリーニングガス導入系と、上記クリーニングガス導入系にクリーニングガスの活性化手段を備えていることを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (4):
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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