半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡田和秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996029191
Publication number (International publication number)：1997223656
Application date： Feb. 16, 1996
Publication date： Aug. 26, 1997
Summary：

【要約】【課題】完全平坦化が行われた半導体基板において、半導体マスクを半導体基板上のパターンに位置合せできるようにする。【解決手段】半導体基板10上に、幅W1が酸化珪素膜60の堆積膜厚Tsio2の値とゲート電極73の膜厚(Tpoly+Twsi)の値の和の2倍以上で、深さDiniが、酸化珪素膜60の堆積膜厚Tsio2の値とゲート電極73の膜厚(Tpoly+Twsi)の値との和から溝50の深さDstiの値を差し引いた値以上となるように溝400を形成し、溝50、401形成後、酸化珪素膜60を堆積し、研磨により完全平坦化しても凹部が形成されるようにし、前記凹部が半導体マスクの合せキーとなり、ゲート電極73が形成される。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に半導体素子を形成する半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板上に、半導体マスクの位置合わせ用の所要の幅および所要の深さを有する位置合わせ用溝または位置合わせ用ホールを形成する工程と、前記位置合わせ用溝または位置合わせ用ホールに、第1の半導体マスクを位置合わせして、第1のマスクパターンを形成し、エッチングによって少なくとも第1の溝または第1のホールを形成する工程と、前記半導体基板上に第1の膜を形成する工程と、前記第1の膜を研磨して平坦化する工程と、前記半導体基板上に第2の膜を形成する工程と、前記位置合わせ用溝または位置合わせ用ホールに、第2の半導体マスクを位置合わせして第2のマスクパターンを形成し、前記第2の膜をエッチングする工程とを備え、前記位置合わせ用溝または位置合わせ用ホールの前記所要の幅および所要の深さは、前記第2の膜の形成工程によって前記位置合わせ用溝または位置合わせ用ホールに凹部が形成されるに足る大きさであることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 , H01L 21/28 , H01L 21/304 321 , H01L 21/76

FI (4)：

H01L 21/30 502 M , H01L 21/28 Z , H01L 21/304 321 S , H01L 21/76 L

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-347491 Applicant：株式会社東芝
半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-067211 Applicant：川崎製鉄株式会社
特開平1-169963

Show all

Cited by examiner (8)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-347491 Applicant：株式会社東芝
半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-067211 Applicant：川崎製鉄株式会社
特開平1-169963

Show all

Return to Previous Page