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J-GLOBAL ID:200903072577351283

エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 竹本 松司 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002248652
Publication number (International publication number):2003163996
Application date: Aug. 28, 2002
Publication date: Jun. 06, 2003
Summary:
【要約】【課題】 エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン及びその製造方法の提供。【解決手段】 複合層振動板チップ、固定電極チップ、ケースで組成され、複合層振動板チップは、振動板(音声を機械振動に変換)、電極層(電圧伝播を提供)、エレクトレット層(電荷を提供)及びスペーサ(振動空間を提供)を具え、該固定電極チップは、電極層(電圧伝播を提供)、通気孔、気室(空気ダンピングを提供)及びMOSFET(抵抗マッチングを提供)を具えている。複合層振動板チップと固定電極チップが相互に対応するよう組み合わせられ、並びにケースでパッケージされてエレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンが形成される。
Claim (excerpt):
エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホンにおいて、(1)複合層振動板チップとされ、第1基板と、該第1基板の底面に形成された振動板と、該第1基板の上面に形成された第1窒化けい素層と、該第1基板と該第1窒化けい素層上に形成された凹溝と、該第1窒化けい素層と該凹溝の上面に形成された第1電極層と、該振動板の底面に形成されたエレクトレット層と、該エレクトレット層の底面の両端部分領域に形成された絶縁スペーサと、を具えた上記複合層振動板チップと、(2)固定電極チップとされ、第2基板と、該第2基板の上面の一端に形成されたMOSFETと、該第2基板の上面と底面に形成された二つの堆積層と、該第2基板の上面に形成されると共に、該MOSFETの一側に位置するトレンチと、該第2基板の上面の適当な領域に定置される複数の通気孔と、該第2基板の通気孔の底部に形成されて、その開口が下向きである凹溝とされた気室と、該固定電極チップの上面の上に形成された第2電極層と、を具えた上記固定電極チップと、(3)ケースとされ、該複合層振動板チップと該固定電極チップをパッケージする上記ケースと、を具えたことを特徴とする、エレクトレットシリコンコンデンサマイクロホン。
IPC (2):
H04R 19/01 ,  H04R 31/00
FI (2):
H04R 19/01 ,  H04R 31/00 C
F-Term (7):
5D021CC03 ,  5D021CC04 ,  5D021CC06 ,  5D021CC07 ,  5D021CC12 ,  5D021CC19 ,  5D021CC20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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