RRAMメモリセル電極

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山本秀策 , 安村高明 , 大塩竹志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004332503
Publication number (International publication number)：2005175457
Application date： Nov. 16, 2004
Publication date： Jun. 30, 2005
Summary：

【課題】経済的に作成することが可能であり、デバイスの信頼性およびデバイスの耐久性を改良するために信頼できる電極が提供される。【解決手段】本発明のRRAMメモリセルは、第1の酸化耐性層20と、第1の耐熱性金属層22と、CMR層24と、第2の耐熱性金属層26と、第2の酸化耐性層28とを備える、シリコン基板中に動作可能な接合および該シリコン基板上に形成される金属プラグ16を有する該シリコン基板上に形成される。例えば、酸化耐性層は、TiN、TaN、TiAlNx、TaAlNx、TaSiN、TiSiN、およびRuTiNから構成される材料の群から得られる材料から形成される。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

第1の酸化耐性層と、第1の耐熱性金属層と、 CMR層と、第2の耐熱性金属層と、第2の酸化耐性層とを備える、シリコン基板中に動作可能な接合および該シリコン基板上に形成される金属プラグを有する該シリコン基板上に形成されるRRAMメモリセル。

IPC (4)：

H01L27/105 , H01L21/28 , H01L39/00 , H01L43/08

FI (4)：

H01L27/10 447 , H01L21/28 301R , H01L39/00 G , H01L43/08 Z

F-Term (27)：

4M104BB04 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104DD37 , 4M104DD65 , 4M104FF13 , 4M104GG01 , 4M104GG16 , 4M113AC05 , 4M113AD62 , 4M113AD63 , 4M113BA04 , 4M113BA18 , 4M113BA23 , 4M113BC04 , 5F083FZ10 , 5F083GA21 , 5F083JA21 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

可逆的抵抗変化特性を有するLCPMO薄膜の作成
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-127597 Applicant：シャープ株式会社
特許第6583003号
半導体記憶装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-257532 Applicant：松下電器産業株式会社

Show all

Return to Previous Page