ポジ型レジスト材料

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：滝田清暉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993041718
Publication number (International publication number)：1994236036
Application date： Feb. 08, 1993
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：

【要約】【目的】高感度、高解像性、及び優れたプロセス適性を有する、高エネルギー線用ポジ型レジスト材料を提供すること。【構成】一部の水酸基の水素原子がt-ブトキシカルボニル基で置換されたポリ(ヒドロキシスチレン)樹脂(a)、溶解阻害剤(b)及び酸発生剤(c)を、それぞれ重量百分率で0.5≦a、0.07≦b≦0.40、0.005≦c≦0.15並びにa+b+c=1となるように含有すると共に、アルカリ水溶液で現像することが可能な、高エネルギー線に感応するポジ型レジスト材料であって、前記溶解阻害剤(b)が下記化1で表される化合物であることを特徴とするポジ型レジスト材料;【化1】化1式中、Rはt-ブトキシカルボニル基又はt-ブトキシカルボニルメチル基である。

Claim (excerpt)：

一部の水酸基の水素原子がt-ブトキシカルボニル基で置換されたポリ(ヒドロキシスチレン)樹脂(a)、溶解阻害剤(b)及び酸発生剤(c)を、それぞれ重量百分率で0.5≦a、0.07≦b≦0.40、0.005≦c≦0.15並びにa+b+c=1となるように含有すると共に、アルカリ水溶液で現像することが可能な、高エネルギー線に感応するポジ型レジスト材料であって、前記溶解阻害剤(b)が下記化1で表される化合物又はその低級アルキル置換体であることを特徴とするポジ型レジスト材料;【化1】化1式中、Rはt-ブトキシカルボニル基又はt-ブトキシカルボニルメチル基である。

IPC (5)：

G03F 7/039 501 , C08F 12/14 MJY , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

感光性組成物およびそれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-344686 Applicant：株式会社東芝
特開平4-195138
特開平4-350657

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