Pat

J-GLOBAL ID：200903072703498503

ポジ型レジスト材料

Inventor： 八木橋 不二夫 ,  渡辺 淳 ,  高見沢 稔 ,  田中 啓順 ,  河合 義夫 ,  松田 維人
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  日本電信電話株式会社
Agent (1)： 滝田 清暉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993041718
Publication number (International publication number)：1994236036
Application date： Feb. 08, 1993
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：

【要約】【目的】高感度、高解像性、及び優れたプロセス適性を有する、高エネルギー線用ポジ型レジスト材料を提供すること。【構成】一部の水酸基の水素原子がt-ブトキシカルボニル基で置換されたポリ(ヒドロキシスチレン)樹脂(a)、溶解阻害剤(b)及び酸発生剤(c)を、それぞれ重量百分率で0.5≦a、0.07≦b≦0.40、0.005≦c≦0.15並びにa+b+c=1となるように含有すると共に、アルカリ水溶液で現像することが可能な、高エネルギー線に感応するポジ型レジスト材料であって、前記溶解阻害剤(b)が下記化1で表される化合物であることを特徴とするポジ型レジスト材料;【化1】化1式中、Rはt-ブトキシカルボニル基又はt-ブトキシカルボニルメチル基である。

Claim (excerpt)：

一部の水酸基の水素原子がt-ブトキシカルボニル基で置換されたポリ(ヒドロキシスチレン)樹脂(a)、溶解阻害剤(b)及び酸発生剤(c)を、それぞれ重量百分率で0.5≦a、0.07≦b≦0.40、0.005≦c≦0.15並びにa+b+c=1となるように含有すると共に、アルカリ水溶液で現像することが可能な、高エネルギー線に感応するポジ型レジスト材料であって、前記溶解阻害剤(b)が下記化1で表される化合物又はその低級アルキル置換体であることを特徴とするポジ型レジスト材料;【化1】化1式中、Rはt-ブトキシカルボニル基又はt-ブトキシカルボニルメチル基である。

IPC (5)：

G03F 7/039 501 ,  C08F 12/14 MJY ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

• 感光性組成物およびそれを用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-344686   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-195138
  
• 特開平4-350657
  
• 特開平4-350658
  
• ポジ型レジスト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-300373   Applicant：信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社
• ポジ型レジスト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-303265   Applicant：日本電信電話株式会社, 信越化学工業株式会社
• ポジ型レジスト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-351532   Applicant：日本電信電話株式会社, 信越化学工業株式会社
• 特開平4-215662
  
• 特開平4-195138
  
• 特開平4-350657
  
• 特開平4-350658
  
• 酸分解性化合物及びそれを含有するポジ型感放射線性レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-150945   Applicant：日本化薬株式会社
• ポジ型感光性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-299093   Applicant：富士写真フイルム株式会社