半導体記憶装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997053739
Publication number (International publication number)：1997306163
Application date： Mar. 10, 1997
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】オーバーレイド方式のメモリシステムにおいて、異なるメモリセルアレイ間での読み出し速度の改善を目的とする。【解決手段】オーバーレイド方式のメモリシステムにおいて、それぞれのメモリセルアレイを他のメモリセルアレイとは無関係に活性化し、さらに、それぞれのメモリセルアレイの活性化状態を維持させることにより、異なるメモリセルアレイ間での読み出し時に、メモリセルアレイの活性化、リセット・プリチャージによる読み出し速度の遅延を生じないメモリシステムを提供するものである。

Claim (excerpt)：

複数のメモリセルを有する複数のメモリセルアレイと、複数のセンスアンプと、前記複数のセンスアンプと接続される複数のデータ線と、各々の前記複数のメモリセルアレイにそれぞれ設けられ、前記メモリセルアレイの任意メモリセルのデータを前記センスアンプに送出し、任意の前記センスアンプのデータを前記データ線に送出する制御を行う複数のアレイ制御部とを具備することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2)：

G11C 11/401 , G11C 11/409

FI (2)：

G11C 11/34 362 H , G11C 11/34 354 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-203717 Applicant：三菱電機株式会社
半導体メモリ回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-144147 Applicant：日本電気株式会社
半導体記憶装置及びその駆動方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-216028 Applicant：沖電気工業株式会社

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