半導体力学量センサ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊藤洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999212734
Publication number (International publication number)：2001041973
Application date： Jul. 27, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】差動容量式の半導体加速度センサにおいて、センサの加工ばらつきにより、支持基板の開口縁部に固定される固定電極部の配線部の寄生容量がばらついても、センサのオフセットを極力低減可能とする。【解決手段】センサ100は、可動電極部30との間に各々第1の検出容量CS1、第2の検出容量CS2を形成する第1の固定電極部40、50及び第2の固定電極部60、70を備える。第1及び第2の固定電極部40〜70を共に、各々が支持基板20の開口部21上にて可動電極部30に対向配置された第1及び第2の対向電極42、52、62、72と、支持基板20に固定されて第1及び第2の対向電極42〜72をそれぞれ支持する第1及び第2の配線部41、51、61、71とにより構成し、これら両配線部41〜71を互いに電気的に独立させ支持基板20の開口縁部において互いに対向するように配置する。

Claim (excerpt)：

一面側に所定形状にて開口する開口部(21)が形成された半導体よりなる支持基板(20)と、この支持基板に支持され前記開口部上にて力学量の印加に応じて変位する可動電極部(30)と、前記可動電極部との間に第1の検出容量を形成する第1の固定電極部(40、50)と、前記可動電極部との間に第2の検出容量を形成する第2の固定電極部(60、70)とを備え、力学量の印加に応じて前記可動電極部が変位したとき、前記第1の検出容量と前記第2の検出容量との差分に基づいて印加力学量を検出する半導体力学量センサにおいて、前記第1及び第2の固定電極部は共に、各々が前記開口部上にて前記可動電極部に対向配置された第1の対向電極(42、62)及び第2の対向電極(52、72)と、前記支持基板に固定されて前記第1の対向電極を支持する第1の配線部(41、61)及び前記支持基板に固定されて前記第2の対向電極を支持する第2の配線部(51、71)とにより構成されており、これら第1及び第2の配線部は、互いに電気的に独立し前記支持基板の開口縁部において対向するように配置されたものであることを特徴とする半導体力学量センサ。

IPC (4)：

G01P 15/125 , B81B 3/00 , G01L 1/14 , H01L 29/84

FI (4)：

G01P 15/125 , B81B 3/00 , G01L 1/14 K , H01L 29/84 Z

F-Term (17)：

4M112AA02 , 4M112BA07 , 4M112CA24 , 4M112CA25 , 4M112CA26 , 4M112CA31 , 4M112CA32 , 4M112CA33 , 4M112CA36 , 4M112DA03 , 4M112DA04 , 4M112DA05 , 4M112DA06 , 4M112DA15 , 4M112DA16 , 4M112EA03 , 4M112FA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体加速度センサおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-213547 Applicant：株式会社デンソー
静電容量型加速度センサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-325717 Applicant：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
加速度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-259035 Applicant：株式会社村田製作所

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