プラズマ処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：佐藤香
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998056060
Publication number (International publication number)：1998294307
Application date： Feb. 20, 1998
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】良質のプラズマを供給。【解決手段】プラズマ発生空間22がプラズマ処理空間13に隣接し且つ連通しているプラズマ処理装置において、プラズマ発生空間22が分散等して形成され、且つプラズマ発生空間22内に電子を封じる磁気回路25が付設される。プラズマ成分比率の制御性がよい。プラズマ分布の均一性確保とプラズマ処理空間からプラズマ発生空間へのガス流入阻止の両立が図れる。さらに、プラズマ処理空間13を可動壁体40で囲んで、圧力制御性も高める。

Claim (excerpt)：

プラズマ処理空間が形成された第1機構と、前記第1機構に取着して又はそれと一体的に設けられプラズマ発生空間が形成された第2機構とを具え、前記プラズマ発生空間が前記プラズマ処理空間に隣接し且つ連通しているプラズマ処理装置において、前記プラズマ発生空間が分散等して形成されたものであることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/3065 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/302 C , C23C 16/50 , C23F 4/00 G , H01L 21/205 , H05H 1/46 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平4-314863
高周波プラズマ発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-215146 Applicant：株式会社アドテック
半導体加工装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-186837 Applicant：菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社

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