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J-GLOBAL ID：200903073311331631

張り合わせシリコン基板の製造方法

Inventor：
大井 浩之

About 大井 浩之

, 
奥田 仁

About 奥田 仁


Applicant, Patent owner：
三菱住友シリコン株式会社

About 三菱住友シリコン株式会社


Agent (1)： 安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001252042
Publication number (International publication number)：2003068996
Application date： Aug. 22, 2001
Publication date： Mar. 07, 2003
Summary：
【要約】【課題】 エッチングを原因としたウェーハ張り合わせ界面でのボイドの発生が抑えられる張り合わせシリコン基板の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコンウェーハ11,12をアルカリエッチする。アルカリエッチは異方性エッチングの性質を有し、ウェーハ端部が必要以上に丸まりにくい。そのため、エッチドウェーハの外周部の断面形状はエッチング前とほとんど変化がない。結果、研磨時に両ウェーハ11,12をキャリアプレートにワックス貼着して研磨しても、また真空により両ウェーハ11,12を研磨吸盤に吸着して研磨を行っても、加工後に剥離した両ウェーハ11,12の外周立ちが抑えられる。よって、その後、両ウェーハ11,12を張り合わせた場合に張り合わせ界面でのボイドの発生を抑制できる。
Claim (excerpt)：
活性層用シリコンウェーハおよびまたは支持基板用シリコンウェーハをアルカリ性エッチング液によりアルカリエッチする工程と、このアルカリエッチされた活性層用シリコンウェーハと支持基板用シリコンウェーハとを張り合わせて張り合わせウェーハを得る工程と、この張り合わせウェーハを熱処理する工程とを備えた張り合わせシリコン基板の製造方法。
IPC (3)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/762
FI (3)：
H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/76 D
F-Term (6)：
5F032AA91 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA33 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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