貼り合わせウエーハの製造方法および貼り合わせウエーハ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000191103
Publication number (International publication number)：2001085648
Application date： Jun. 26, 2000
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】ベースウエーハとして、平坦性に優れ、面取り部や裏面からのパーティクルの発塵を低減したものを生産性良く製造し、それを用いたパーティクルの発生が極めて少なく、高い平坦度と膜厚均一性に優れたSOI層やシリコン活性層を有する貼り合わせウエーハとその製造方法を提供する。【解決手段】ボンドウエーハとベースウエーハとを酸化膜を介して、あるいは直接貼り合わせた後、前記ボンドウエーハを減厚加工する貼り合わせウエーハの製造方法において、前記ベースウエーハとして、シリコン単結晶棒をスライスした後、少なくとも面取り、ラッピング、エッチング、鏡面研磨および洗浄工程により作製されたもので、前記エッチング工程は、アルカリエッチングの後、酸エッチングを行ない、その際、アルカリエッチングのエッチング代を、酸エッチングのエッチング代より大きくしたものを用い、面取り部の鏡面仕上げを前記エッチング工程の後に行う貼り合わせウエーハの製造方法と貼り合わせウエーハ。

Claim (excerpt)：

シリコン単結晶からなるボンドウエーハとベースウエーハとを酸化膜を介して、あるいは直接貼り合わせた後、前記ボンドウエーハを減厚加工する貼り合わせウエーハの製造方法において、前記ベースウエーハとして、シリコン単結晶棒をスライスした後、少なくとも面取り、ラッピング、エッチング、鏡面研磨および洗浄する工程により作製されたものであって、前記エッチング工程は、アルカリエッチングの後、酸エッチングを行ない、その際、アルカリエッチングのエッチング代を、酸エッチングのエッチング代より大きくしたものを用いることを特徴とする貼り合わせウエーハの製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/12 , H01L 21/304 621 , H01L 21/306

FI (3)：

H01L 27/12 B , H01L 21/304 621 E , H01L 21/306 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

張り合わせ用支持基板およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-192959 Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
半導体ウエハの使用方法及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-223774 Applicant：新日本製鐵株式会社
接着基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-013373 Applicant：住友シチックス株式会社

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