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J-GLOBAL ID：200903082890913964

シリコンウェーハ及び貼り合わせウェーハの製造方法、並びにその貼り合わせウェーハ

Inventor： 阿部 孝夫 ,  武井 時男 ,  岡部 啓一 ,  宮島 元
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社 ,  長野電子工業株式会社
Agent (1)： 早川 政名 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001090803
Publication number (International publication number)：2001345435
Application date： Mar. 27, 2001
Publication date： Dec. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】 比較的簡便な方法により研磨ダレ(周辺ダレ)の少ない鏡面研磨ウェーハを作製する方法、及び外周除去領域がないか低減したSOI層またはボンド層を有する貼り合わせウェーハの製造方法並びにその貼り合わせウェーハを提供する。【解決手段】 シリコンウェーハの表面側の面取り幅をX1とし、裏面側の面取り幅をX2とするとき、X1<X2である面取り部を有するシリコンウェーハを用意し、該シリコンウェーハの表面を鏡面研磨した後、表面側の面取り幅がX3(X3>X1)になるように再度面取り加工する。

Claim (excerpt)：

シリコンウェーハの表面側の面取り幅をX1とし、裏面側の面取り幅をX2とするとき、X1<X2である面取り部を有するシリコンウェーハを用意し、該シリコンウェーハの表面を鏡面研磨した後、表面側の面取り幅がX3(X3>X1)になるように面取り加工することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/12 ,  B24B 9/00 601 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 621

FI (4)：

H01L 27/12 B ,  B24B 9/00 601 H ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 621 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (25)

• 半導体ウエハー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-037978   Applicant：株式会社ジャパンエナジー
• 貼り合わせシリコンウエーハの接着方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-017155   Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-052765   Applicant：富士電機株式会社
• 特開平1-201922
  
• 半導体ウェ-ハおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-139490   Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
• ウエハの鏡面加工装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-044897   Applicant：スピードファム株式会社
• SOIウエーハの製造方法ならびにこの方法で製造されるSOIウエーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-279878   Applicant：信越半導体株式会社
• 張合せウェハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-057567   Applicant：株式会社日立製作所
• ウェーハ外周部の鏡面研磨方法および鏡面研磨装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-135422   Applicant：信越半導体株式会社, 直江津電子工業株式会社
• 特開平3-083320
  
• ウェーハの加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-239277   Applicant：信越半導体株式会社
• 半導体ウエハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-102683   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 両面研磨ウェーハおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-021035   Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
• ウエーハ面取部研磨装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-335955   Applicant：信越半導体株式会社
• SOI基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-079509   Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
• 結合ウエーハの製造方法およびこの方法で製造される結合ウエーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-094855   Applicant：信越半導体株式会社
• 貼り合わせ半導体基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-026173   Applicant：住友金属工業株式会社
• 半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-325533   Applicant：株式会社東芝
• 貼り合わせ半導体基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-182572   Applicant：住友シチックス株式会社
• 薄い半導体材料フィルムの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-246594   Applicant：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
• 特公平4-004742
  
• 結晶薄膜基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-256036   Applicant：日新電機株式会社
• 特公平5-046086
  
• 特許第2565617号
  
• 特開昭53-014551