化合物半導体層の臨界膜厚の求め方およびそれを用いた光半導体装置の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994278738
Publication number (International publication number)：1996139416
Application date： Nov. 14, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明は、II-VI 族化合物半導体層からなる光半導体装置の活性層等の臨界膜厚を求める方法を提供して、最適条件で光半導体装置の形成を図る。【構成】化合物半導体層の膜厚とその膜厚に対応する化合物半導体層のフォトルミネッセンス(PL)を観測して得られたPL強度との関係を求め、PL強度のピークIP となる膜厚を臨界膜厚hPLとして求める。また化合物半導体層中のカドミウム(Cd)の組成比を関数として臨界膜厚を近似する関係式を求め、その関係式によって所望のCdの組成比を有する化合物半導体層の臨界膜厚を求める。このようにして求めた臨界膜厚以下に活性層の膜厚を設計し、基板上に活性層を含むII-VI 族化合物半導体層を積層して光半導体装置を形成する際に設計した膜厚で活性層を形成する。

Claim (excerpt)：

化合物半導体層の膜厚と該膜厚に対応する該化合物半導体層のフォトルミネッセンスを観測して得られるフォトルミネッセンス強度との関係を求め、該関係における該フォトルミネッセンス強度がピークとなる膜厚を臨界膜厚とすることを特徴とする化合物半導体層の臨界膜厚の求め方。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

II-VI族化合物半導体薄膜の製造方法およびII-VI族化合物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-116901 Applicant：シャープ株式会社
エピタキシャルウエハの検査方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-333048 Applicant：株式会社東芝
半導体構造及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-015330 Applicant：株式会社日立製作所

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