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J-GLOBAL ID：200903073820278790

膜形成方法、膜、及び素子

Inventor： 中山 弘 ,  町田 英明 ,  下山 紀男
Applicant, Patent owner： 中山 弘 ,  株式会社トリケミカル研究所
Agent (1)： 宇高 克己
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003186525
Publication number (International publication number)：2005026244
Application date： Jun. 30, 2003
Publication date： Jan. 27, 2005
Summary：

【課題】例えば、エッチングストッパ層として用いられるSiとCとNとを含む組成の膜、特にSiとCとNとを任意の割合で含む膜を形成できる技術を提供することである。【解決手段】例えば、エッチングストッパ層として用いられるSiとCとNとを含む組成の膜を設ける方法であって、加熱された加熱体を有する反応室内にアミノシリコン化合物の蒸気を存在させることにより、反応室内に配置された基体上にSiとCとNとを含む組成の膜を設ける膜形成方法。

Claim (excerpt)：

SiとCとNとを含む組成の膜を設ける方法であって、 加熱体を有する反応室内にアミノシリコン化合物の蒸気を存在させることにより、反応室内に配置された基体上にSiとCとNとを含む組成の膜を設けることを特徴とする膜形成方法。

IPC (3)：

H01L21/318 ,  C23C16/36 ,  C23C16/44

FI (3)：

H01L21/318 B ,  C23C16/36 ,  C23C16/44 A

F-Term (13)：

4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA41 ,  4K030KA25 ,  5F058BA10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC10 ,  5F058BD13 ,  5F058BF02 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BH10 ,  5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 膜の形成方法、基材、及び表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-303558   Applicant：コニカ株式会社
• 化学蒸着装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-082626   Applicant：科学技術振興事業団, 松村英樹, アネルバ株式会社
• 半導体装置の保護膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-284351   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-274427   Applicant：東京エレクトロン株式会社