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J-GLOBAL ID:200903073936560566

吸収性広帯域低輝度反射防止膜の構成方法及び装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 谷 義一 (外3名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1997527164
Publication number (International publication number):2000509511
Application date: Jan. 28, 1997
Publication date: Jul. 25, 2000
Summary:
【要約】本発明は、特に大きな帯域幅比すなわち反射率の値が0.6%以下の波長範囲を示す比、及び可視光に対する小さな輝度値により特徴化される、優れた光学的特性を有する電気伝導性、吸収性、コントラスト強調性のある反射防止膜に関するものである。低屈折率を有する透明物質の第一薄膜層と、吸収性、電気伝導性を有する遷移金属オキシ窒化物の第二極薄膜層とからのみ構成される簡単な二層基板皮膜が、小さな輝度値及び大きな帯域幅比を有する、電気伝導性、コントラスト強調性のある高性能な反射防止膜を提供することは驚くべき発見であった。本発明は、輝度値が約0.22以下、好ましくは約0.15以下である反射防止膜を提供するものである。本発明の重要な利点の一つは、設計の簡素性や、インラインDC反応マグネトロンスパッタ過程における物質成長の適切さ及び効率に起因して、本発明にもとづく吸収性、電気伝導性、コントラスト強調性のある高性能な反射防止膜が非常に高い費用効果で製造できることである。
Claim (excerpt):
基板用の反射防止層からなるシステムであって、 該反射防止層は、観測者と向かい合わせになる側の該基板の表面上に配置させた吸収層と、 該吸収層の上に配置させた透明層とを有し、 該吸収層は遷移金属オキシ窒化物が形成されるよう窒素及び酸素と反応した少なくとも一種類の遷移金属からなることを特徴とする反射防止層システム。
IPC (2):
G02B 1/11 ,  B32B 9/00
FI (2):
G02B 1/10 A ,  B32B 9/00 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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