半導体回路および画像表示装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002169799
Publication number (International publication number)：2004014982
Application date： Jun. 11, 2002
Publication date： Jan. 15, 2004
Summary：

【課題】トランジスタや半導体回路が不透明であることによる表示素子の開口率の低下や外観を損ねることを回避するために、透明なトランジスタおよび半導体回路を提供することが目的であり、第2に該半導体回路を選択駆動回路として用いた有機EL素子或いは液晶表示素子等のアクティブマトリクス型表示装置を提供することにある。【解決手段】実質透明なトランジスタと、該トランジスタと電気的接点を有する実質透明な導電性材料によって構成した半導体回路。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

実質透明なトランジスタと、該トランジスタと電気的接点を有する実質透明な導電性材料によって構成したことを特徴とする半導体回路。

IPC (9)：

H01L29/786 , G02F1/13 , G02F1/1343 , G02F1/1362 , G09F9/30 , G09F9/35 , H01L51/00 , H05B33/14 , H05B33/28

FI (12)：

H01L29/78 618B , G02F1/13 505 , G02F1/1343 , G02F1/1362 , G09F9/30 338 , G09F9/30 365Z , G09F9/35 , H05B33/14 A , H05B33/28 , H01L29/78 616V , H01L29/78 617M , H01L29/28

F-Term (64)：

2H088EA22 , 2H088EA61 , 2H088EA62 , 2H088EA64 , 2H088HA02 , 2H088HA06 , 2H088KA03 , 2H088MA20 , 2H092GA11 , 2H092GA12 , 2H092HA00 , 2H092HA01 , 2H092HA02 , 2H092HA11 , 2H092JA00 , 2H092JA05 , 2H092JA24 , 2H092JB00 , 2H092JB01 , 2H092JB11 , 2H092JB21 , 2H092JB31 , 2H092KA00 , 2H092NA25 , 2H092PA01 , 2H092PA06 , 2H092RA00 , 2H092RA10 , 3K007AB03 , 3K007AB17 , 3K007CB01 , 3K007DB03 , 3K007GA00 , 5C094AA10 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094EA07 , 5C094EB02 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE07 , 5F110FF01 , 5F110FF21 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN27 , 5F110NN36 , 5F110NN72 , 5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-055997 Applicant：株式会社日立製作所
薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-081483 Applicant：富士ゼロックス株式会社
特開昭58-178563

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