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J-GLOBAL ID：200903074236888575

Hf2および第2の化合物を含む組成物、その使用、そのデバイス、および基板上に誘電性層を形成する方法

Inventor：
エデュアール・カルティエ

About エデュアール・カルティエ

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ジェリー・チェン

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ジャオ・チャオ

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Applicant, Patent owner：
アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ

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Agent (2)： 河宮 治 ,  石野 正弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003165399
Publication number (International publication number)：2004161602
Application date： Jun. 10, 2003
Publication date： Jun. 10, 2004
Summary：
【課題】新しい結晶構造を持ち、高い誘電率を有する組成を提供する。【解決手段】Hf2および第2の化合物を含む新規な組成。前記組成は、立方晶結晶相である。新規な組成は、最高1200°Cまでの温度で安定である。新規な組成は、純粋なHfO2の誘電値より高い誘電値を有する。新規な組成は、メモリコンデンサーアプリケーションでの誘電体のアプリケーションと、トランジスタアプリケーションでのゲート誘電体としてのアプリケーションに使用可能である。【選択図】 図1a
Claim (excerpt)：
立方晶結晶相であることを特徴とするHf2および第 2の化合物を含む組成物。
IPC (5)：
C01G27/00 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/78
FI (4)：
C01G27/00 ,  H01L21/316 M ,  H01L27/10 651 ,  H01L29/78 301G
F-Term (42)：
4G048AA03 ,  4G048AB01 ,  4G048AB05 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AD06 ,  4G048AE06 ,  4G048AE08 ,  5F058BA06 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BE10 ,  5F058BF06 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF36 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ10 ,  5F083AD00 ,  5F083GA06 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083PR13 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F140AA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BD16 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BE19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)
  • The influence of thermal treatment on phase development in ZrO2-Fe2O3 and HfO2-Fe2O3 systems

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