半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 竹内祐二 , 今江克実 , 原田智雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003275858
Publication number (International publication number)：2004056146
Application date： Jul. 17, 2003
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：

【課題】 III-V族窒化物半導体からなる半導体装置において、且つ短時間に素子分離絶縁膜を形成することと、素子分離絶縁膜の形成工程において電気特性を損なうことなくシリコンを拡散することとを両立できるようにする。【解決手段】基板31の上にGaN層33とAlGaN層37とを形成し、AlGaN層37の上にシリコンからなる酸化保護膜38を選択的に形成する。次に温度が約1000°Cの酸化性雰囲気に投入して、1時間〜2時間程度にわたって熱処理を施す。このとき、酸化保護膜38で覆われていない領域では、GaN層33及びAlGaN層37が表面側から酸化されてAlGaNとGaNの酸化物からなる素子分離絶縁膜39が形成される。また、熱処理によってAlGaN層37の表面にシリコンの添加されたシリコン含有AlGaN層36Aが形成される。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

窒化アルミニウムガリウムからなる第1の半導体層の上に、開口部を有し且つシリコンを含む保護膜を形成する工程と、前記第1の半導体層に対して、温度が950°C以上且つ1050°C以下の範囲に調整された酸化性雰囲気において熱処理を行う工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L21/76 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (2)：

H01L21/76 M , H01L29/80 H

F-Term (22)：

5F032AA12 , 5F032CA05 , 5F032CA09 , 5F032CA16 , 5F032DA24 , 5F032DA53 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GR09 , 5F102GT01 , 5F102GV07 , 5F102HC01 , 5F102HC05 , 5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-080242 Applicant：松下電器産業株式会社
窒化物系化合物半導体のエッチング方法および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-170541 Applicant：ソニー株式会社
特開昭55-138238

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

"Improved contact performance of GaN film using Si diffusion"

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