電子放出装置、冷陰極電界電子放出素子及びその製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001241676
Publication number (International publication number)：2002150922
Application date： Aug. 09, 2001
Publication date： May. 24, 2002
Summary：

【要約】【課題】より一層低い電界での電子放出が可能であり、電子放出部の形成温度を低温とすることができ、しかも、導電体層の所望の部位に確実に炭素から成る電子放出部が形成された冷陰極電界電子放出素子の製造方法を提供する。【解決手段】冷陰極電界電子放出素子の製造方法は、(a)支持体10上にカソード電極11を形成する工程と、(b)カソード電極11上に電子放出部形成層50を形成する工程と、(c)電子放出部形成層50上に炭素から成る錐状の電子放出部15を形成する工程から成る。

Claim (excerpt)：

導電体層上に炭素から成る錐状の電子放出部を備えていることを特徴とする電子放出装置。

IPC (2)：

H01J 1/304 , H01J 9/02

FI (2)：

H01J 9/02 B , H01J 1/30 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

カ-ボン材料とその製造方法、及びそれを用いた電界放出型冷陰極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-347955 Applicant：日本電気株式会社
冷陰極素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-092586 Applicant：松下電器産業株式会社
真空マイクロ素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-065642 Applicant：株式会社東芝

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