半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999346561
Publication number (International publication number)：2000243946
Application date： Dec. 06, 1999
Publication date： Sep. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】通常のシリコン基板を用いることができ、しかもSiGe層の膜厚が薄くても良質な歪みシリコン結晶層を形成することを可能にする。【解決手段】シリコン単結晶基板11上に酸素が添加された第1のシリコン結晶層12を形成する工程と、第1のシリコン結晶層12上にシリコン・ゲルマニウム結晶層13を形成する工程と、シリコン・ゲルマニウム結晶層13上に第2のシリコン結晶層14を形成する工程と、熱処理により第2のシリコン結晶層14に歪みを与える工程とを有する。

Claim (excerpt)：

シリコン単結晶基板上に酸素が添加された第1のシリコン結晶層を形成する工程と、この第1のシリコン結晶層上にシリコン・ゲルマニウム結晶層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/161 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 29/786

FI (5)：

H01L 29/163 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 618 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-135037 Applicant：株式会社東芝
特開平2-237033
特開平3-235348

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