薄膜製造装置、薄膜の製造方法、および薄膜積層体

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：酒井宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005093948
Publication number (International publication number)：2006278616
Application date： Mar. 29, 2005
Publication date： Oct. 12, 2006
Summary：

【課題】触媒体の基板に対する輻射熱を抑制するとともに分解種を基板に到達させ、高品質な薄膜を製造する薄膜製造装置、薄膜の製造方法、および薄膜積層体を提供すること。【解決手段】1以上の種類の原料ガスを減圧下において反応させ、チャンバ17に配置されたSi基板21上に薄膜を形成する薄膜製造装置1において、チャンバ17に配置され、原料ガスを導入する1以上のガス導入管13と、ガス導入管13の開口部に配置されるとともにSi基板21と所定の距離に保たれ、原料ガスを分解する触媒体10と、未分解の原料ガスを吸着し、チャンバ17に滞留させないシュラウド82と、を有し、分子線として原料をSi基板21に照射する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

1種類又は複数の種類の原料ガスを減圧下において反応させ、反応室に配置された基板上に薄膜を形成する薄膜製造装置において、前記反応室に配置され、前記原料ガスを導入する1つ又は複数の原料ガス導入手段と、前記原料ガス導入手段の開口部に配置されるとともに前記基板と所定の距離に保たれ、加熱触媒作用によって前記原料ガスを分解する加熱触媒手段と、未分解の前記原料ガスを吸着し、前記反応室中に滞留させない未反応ガス吸着手段と、を有し、分子線として前記原料を前記基板に照射することを特徴とする薄膜製造装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , C23C 16/452

FI (3)：

H01L21/205 , C23C16/44 A , C23C16/452

F-Term (38)：

4K030AA05 , 4K030AA06 , 4K030AA07 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA38 , 4K030BA40 , 4K030BB01 , 4K030CA04 , 4K030CA07 , 4K030CA12 , 4K030DA03 , 4K030DA08 , 4K030EA01 , 4K030EA05 , 4K030EA11 , 4K030FA14 , 4K030FA17 , 4K030JA03 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030KA08 , 4K030KA12 , 4K030KA46 , 4K030LA12 , 5F045AA03 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AB33 , 5F045AC12 , 5F045AD07 , 5F045AE15 , 5F045BB07 , 5F045DP03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特開昭61-276976号公報
触媒CVD法によるシリコン薄膜の生成方法および薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-055763 Applicant：新技術事業団

Cited by examiner (12)

結晶成長用ガスクラッキングセル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-225026 Applicant：日本ビクター株式会社
ナノデバイスの作製方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-299234 Applicant：科学技術振興事業団
特開昭62-274712

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