炭化珪素単結晶、炭化珪素基板および炭化珪素単結晶の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： , , ,
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004316458
Publication number (International publication number)：2006124245
Application date： Oct. 29, 2004
Publication date： May. 18, 2006
Summary：

【課題】高抵抗率を示すSiC単結晶とSiC基板を提供し、高抵抗率を示すSiC単結晶を安定して製造することができるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】アクセプタとしての機能を有する第1ドーパントと、ドナーとしての機能を有する第2ドーパントとを含むSiC単結晶であって、第1ドーパントの含有量が5×1015個/cm3以上であり、第2ドーパントの含有量が5×1015個/cm3以上であって、第1ドーパントの含有量が第2ドーパントの含有量よりも多いSiC単結晶である。炭素と珪素とを含む材料中に金属ホウ化物を混合して原料を作製する工程と、原料を気化させる工程と、炭素と珪素とホウ素と窒素とを含む混合ガスを生成する工程と、混合ガスを種結晶基板の表面上で再結晶させてホウ素と窒素とを含む炭化珪素単結晶を種結晶基板の表面上に成長させる工程とを含む、炭化珪素単結晶の製造方法である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

アクセプタとしての機能を有する第1ドーパントと、ドナーとしての機能を有する第2ドーパントと、を含む炭化珪素単結晶であって、前記第1ドーパントの含有量が5×1015個/cm3以上であり、前記第2ドーパントの含有量が5×1015個/cm3以上であって、前記第1ドーパントの含有量が前記第2ドーパントの含有量よりも多いことを特徴とする、炭化珪素単結晶。

IPC (1)：

C30B 29/36

FI (1)：

C30B29/36 A

F-Term (10)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB06 , 4G077BE08 , 4G077DA18 , 4G077EB01 , 4G077EC02 , 4G077EC07 , 4G077HA12 , 4G077SA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

米国特許5611955号明細書
バナジウム占有の無い半絶縁性炭化珪素
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-620157 Applicant：クリーインコーポレイテッド
炭化珪素単結晶及びその製造方法並びに炭化珪素単結晶育成用炭化珪素結晶原料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-301935 Applicant：新日本製鐵株式会社

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Cited by examiner (3)

低ドーピング半絶縁性SiC結晶と方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2007-520433 Applicant：トゥー-シックス・インコーポレイテッド
炭化珪素単結晶および単結晶ウェハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-179382 Applicant：新日本製鐵株式会社
単結晶炭化珪素インゴット及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-223986 Applicant：新日本製鐵株式会社

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