Pat

J-GLOBAL ID：200903074938969549

微細孔および/または微細溝を有する基材の孔埋めめっき方法

Inventor： 長井 瑞樹 ,  本郷 明久 ,  大野 寛二 ,  君塚 亮一 ,  丸山 恵美
Applicant, Patent owner： 株式会社荏原製作所 ,  荏原ユージライト株式会社
Agent (1)： 小野 信夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998249456
Publication number (International publication number)：2000080496
Application date： Sep. 03, 1998
Publication date： Mar. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 特別の電気的設備を必要とせず、簡単に、微細な溝あるいは孔に対し、ボイドの発生を防ぎながら効率よく銅めっきを行ない、基材上の配線溝を孔埋めする方法を開発すること。【解決手段】 微細孔および/または微細溝を有する基材上に、最初に低電流で短時間、例えば平均陰極電流密度0.03〜0.5A/dm2で10秒〜10分間めっきを行い、次いで電流を上げ、所定の膜厚までめっきすることを特徴とする微細孔および/または微細溝を有する基材の孔埋めめっき方法。

Claim (excerpt)：

微細孔および/または微細溝を有する基材上に、最初に低電流で短時間のめっきを行い、次いで電流を上げ、所定の膜厚までめっきすることを特徴とする微細孔および/または微細溝を有する基材の孔埋めめっき方法。

IPC (3)：

C25D 5/18 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288

FI (3)：

C25D 5/18 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288 E

F-Term (13)：

4K024AA09 ,  4K024AB19 ,  4K024BA01 ,  4K024BB11 ,  4K024BC10 ,  4K024CA06 ,  4K024CA07 ,  4K024CB05 ,  4K024GA01 ,  4K024GA04 ,  4M104BB04 ,  4M104BB08 ,  4M104DD52

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 特開昭53-037542
  
• 半導体ウエハのバンプ電極めっき装置及びそのめっき方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-129449   Applicant：沖電気工業株式会社
• 印刷配線板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-045551   Applicant：日立化成工業株式会社
• 特開昭58-177488
  
• 特開昭57-210988
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-075923   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置および半導体装置の製造方法および半導体装 置の製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-100697   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開昭64-004091
  
• 半導体ウエハのめっき方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-168160   Applicant：日本電装株式会社