トンネル接合を含む発光装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (9)：中村稔 , 大塚文昭 , 熊倉禎男 , 宍戸嘉一 , 今城俊夫 , 小川信夫 , 村社厚夫 , 西島孝喜 , 箱田篤
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003337723
Publication number (International publication number)：2004128502
Application date： Sep. 29, 2003
Publication date： Apr. 22, 2004
Summary：

【課題】半導体発光装置、より詳細にはトンネル接合を組み込んだ半導体発光装置を提供する。【解決手段】第1の活性領域、第2の活性領域、及びトンネル接合を含む発光装置。該トンネル接合は、第1の導電型の層及び第2の導電型の層を含み、両方とも第1の活性領域を取り囲む第1の導電型の層及び第2の導電型の層よりも薄い。該トンネル接合は、活性領域の垂直積み重ねを可能にし、それによって光源のサイズを増大することなく装置が発生する光を増加させることができる。【選択図】図1A

Claim (excerpt)：

第1の導電型の第1の層と、第2の導電型の第1の層と、前記第1の導電型の第1の層と前記第2の導電型の第1の層との間に配置された第1の活性領域と、前記第1の導電型の第1の層よりも大きなドーパント濃度を有する第1の導電型の第2の層、及び前記第2の導電型の第1の層よりも大きなドーパント濃度を有する第2の導電型の第2の層、を含むトンネル接合と、第1の導電型の第3の層と、第2の導電型の第3の層と、前記第1の導電型の第3の層と前記第2の導電型の第3の層との間に配置された第2の活性領域と、を含み、前記トンネル接合は、前記第1の活性領域と前記第2の活性領域との間にある、ことを特徴とするIII族窒化物発光装置。

IPC (3)：

H01S5/343 , H01L33/00 , H01S5/022

FI (4)：

H01S5/343 610 , H01L33/00 C , H01L33/00 N , H01S5/022

F-Term (29)：

5F041AA03 , 5F041AA31 , 5F041AA47 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA53 , 5F041CA57 , 5F041DA07 , 5F041DA09 , 5F041DA17 , 5F041DA25 , 5F041DA74 , 5F041DA77 , 5F041FF16 , 5F073AA42 , 5F073AA65 , 5F073AA74 , 5F073AB17 , 5F073BA09 , 5F073CA01 , 5F073CA03 , 5F073CA22 , 5F073CB12 , 5F073CB13 , 5F073EA29 , 5F073FA27 , 5F073FA29 , 5F073FA30

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

米国特許出願一部番号09/823,824
米国特許出願一連番号10/033,349

Cited by examiner (6)

半導体装置、半導体発光装置、および光情報処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-126703 Applicant：株式会社日立製作所
基板構造、発光装置、基板構造の製造方法および発光装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-103288 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
狭い波長分布を有する多重半導体レーザ構造
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-514518 Applicant：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

A dual-wavelength indium gallium nitride quantum well light emitting diode

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