SiC半導体のイオン注入層及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： , , ,
Agent (1)：長谷川芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001060380
Publication number (International publication number)：2002261041
Application date： Mar. 05, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】結晶の乱れ及び結晶表面の荒れを低減させたイオン注入層を提供する。【解決手段】本発明に係るSiC半導体1のイオン注入層2は、4H型SiCの{03-38}面から10°以内の角度αのオフ角を有する面方位の面に広がっている。

Claim (excerpt)：

4H型SiCの{03-38}面から10°以内の角度αのオフ角を有する面方位の面に広がっていることを特徴とするSiC半導体のイオン注入層。

IPC (11)：

H01L 21/265 , H01L 21/265 602 , C30B 29/36 , H01L 21/28 , H01L 29/78 , H01L 29/78 652 , H01L 21/336 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/329 , H01L 29/861

FI (11)：

H01L 21/265 602 A , C30B 29/36 A , H01L 21/28 A , H01L 29/78 652 T , H01L 21/265 Z , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 Q , H01L 29/78 658 A , H01L 29/80 B , H01L 29/91 A , H01L 29/91 F

F-Term (45)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DB01 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077FD02 , 4G077FE11 , 4G077TK06 , 4M104AA03 , 4M104BB14 , 4M104CC03 , 4M104DD26 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GR01 , 5F102GS02 , 5F102GS04 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC16 , 5F140AA00 , 5F140AA27 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BA20 , 5F140BE02 , 5F140BE03 , 5F140BE07 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG28 , 5F140BG31 , 5F140BG38 , 5F140BH21 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BK13 , 5F140BK21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-127471 Applicant：松波弘之, 木本恒暢, 株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社
高チャネル移動度を有するSiC半導体装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-544401 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-267722 Applicant：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー

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