窒化物半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：新居広守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007286613
Publication number (International publication number)：2009117485
Application date： Nov. 02, 2007
Publication date： May. 28, 2009
Summary：

【課題】従来のGaN系ダイオードに比べ、十分に低いオン抵抗を有するとともに、容量の低い高速性に優れた特性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】基板101と、バッファー層102と、窒化物半導体からなる層(GaN層103)と、その窒化物半導体(GaN層103)よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体からなる層(AlGaN層104)とが積層されたヘテロ接合体(103および104)を少なくとも一つ有する積層構造体(103および104)と、積層構造体(103および104)の第一の端部に形成され、ヘテロ接合体(103および104)とショットキー接続されるショットキー電極106と、積層構造体(103および104)の第二の端部に形成され、ヘテロ接合体(103および104)とオーミック接続されるオーミック電極107とを備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

窒化物半導体からなる層と、前記窒化物半導体よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体からなる層とが積層されたヘテロ接合体を少なくとも一つ有する積層構造体と、前記積層構造体の第一の端部に形成され、前記ヘテロ接合体とショットキー接続されるショットキー電極と、前記積層構造体の第二の端部に形成され、前記ヘテロ接合体とオーミック接続されるオーミック電極とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 29/41

FI (3)：

H01L29/48 F , H01L29/48 D , H01L29/44 L

F-Term (8)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104FF01 , 4M104FF04 , 4M104FF27 , 4M104GG03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

III族窒化物マルチチャンネルヘテロ接合インターデジタル整流器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-288548 Applicant：インターナショナルレクティフィアーコーポレイション

Cited by examiner (4)

整流ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-000982 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
III族窒化物マルチチャンネルヘテロ接合インターデジタル整流器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-288548 Applicant：インターナショナルレクティフィアーコーポレイション
GaN系ヘテロ接合電界効果トランジスタ及びその特性を制御する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-061561 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

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