Pat
J-GLOBAL ID：200903075678958137
半導体レーザ装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999373067
Publication number (International publication number)：2001189519
Application date： Dec. 28, 1999
Publication date： Jul. 10, 2001
Summary：
【要約】【課題】 光出射面に微小開口を設けた半導体レーザにおいて、レーザ光のスポット径の極小化を可能にし、且つ微小開口を通過する光の光通過効率の向上をはかる。【解決手段】 半導体レーザ素子の光出射面の外側に微小開口14を有する光吸収膜12を設けた半導体レーザ装置において、開口14を、レーザ光の偏光方向に沿った開口幅W1 が半導体レーザ素子の発振波長の1/2より短くなり、偏光方向に垂直な方向の開口幅W2 が開口幅W1 より長くなるように形成した。
Claim (excerpt)：
半導体レーザ素子の光出射面の外側に開口を有する光吸収膜を設けた半導体レーザ装置であって、前記開口は、レーザ光の偏光方向に沿った開口幅W1 が偏光方向に垂直な方向の開口幅W2 よりも短いことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (12)：
5F073AA13
, 5F073AA74
, 5F073AA82
, 5F073AA84
, 5F073AB17
, 5F073BA05
, 5F073CA05
, 5F073CA14
, 5F073CB20
, 5F073DA33
, 5F073DA35
, 5F073EA18
Cited by applicant (5)
-
面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-025120
Applicant：富士ゼロックス株式会社
-
面発光型半導体レーザ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-025998
Applicant：セイコーエプソン株式会社
-
半導体発光装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平3-176855
Applicant：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
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Cited by examiner (5)
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面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-025120
Applicant：富士ゼロックス株式会社
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面発光型半導体レーザ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-025998
Applicant：セイコーエプソン株式会社
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半導体発光装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平3-176855
Applicant：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
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