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J-GLOBAL ID:200903075765914375
感光性樹脂組成物およびパターン形成方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993334643
Publication number (International publication number):1995199467
Application date: Dec. 28, 1993
Publication date: Aug. 04, 1995
Summary:
【要約】 (修正有)【構成】 下記(I)式に示す高分子化合物と、放射線に感応すると酸を発生する化合物、およびそれらを溶解可能な溶剤からなる感光性樹脂組成物。および当該感光性樹脂組成物の薄膜を基板上に形成し、波長が220nm以下の光を露光光とすることで微細パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。[上式において、nは5ないし1000の正の整数、R1,R2およびR3は夫々独立して水素原子またはメチル基、R4はトリシクロデカニル基等、R5はテトラヒドロピラニル基等、x+y+z=1、xは0.1〜0.9、yは0.1〜0.7、zは0.01〜0.7を表す。]【効果】 波長が220nm以下の遠紫外光に対し高透明性を有し、高感度で形状の良い微細パターンを形成することから、遠紫外線、例えばArFエキシマレーザ(193.3nm)露光用化学増幅型レジストとして有用である。
Claim (excerpt):
(i)酸と反応することで極性を変換する基を含有する高分子化合物と、(ii) 放射線に感応すると酸を発生する化合物、および(iii)それらを溶解可能な溶剤、を含有し、前記(i)の高分子化合物が下記一般式(I)の三元共重合体であることを特徴とする感光性樹脂組成物。【化1】[上式において、nは5ないし1000の正の整数、R1 ,R2 およびR3 は夫々独立して水素原子またはメチル基を表わし、R4 はトリシクロデカニル基、ジシクロペンテニル基、ジシクロペンテニルオキシエチル基、シクロヘキシル基、ノルボニル基、ノルボルナンエポキシ基、ノルボルナンエポキシメチル基、あるいはアダマンチル基、R5 はテトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、メチル基、エチル基、プロピル基、tert-ブチル基、あるいは3-オキソシクロヘキシル基、x+y+z=1、xは0.1ないし0.9、yは0.1ないし0.7、zは0.01ないし0.7を表す。]
IPC (6):
G03F 7/039 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/028
, G03F 7/033
, G03F 7/038 505
, H01L 21/027
FI (2):
H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 569 F
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-156818
Applicant:富士通株式会社
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レジスト材料およびそれを用いるパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-060469
Applicant:富士通株式会社
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放射線感光材料およびそれを用いるパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-053726
Applicant:富士通株式会社
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特開平4-226461
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特開平4-039665
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特開平4-026850
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特開平3-223857
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レジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-097140
Applicant:日本ゼオン株式会社
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