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J-GLOBAL ID:200903075805525067
オゾン-溶媒溶液を用いた基体の処理方法及び処理装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦 (外3名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2001531742
Publication number (International publication number):2003512736
Application date: Oct. 19, 2000
Publication date: Apr. 02, 2003
Summary:
【要約】【課題】 オゾン-溶媒溶液を使用する物質の処理方法を提供すること。【解決手段】 所定の温度T1で溶媒にオゾンを溶解して、オゾン化された水源により生成されたオゾン-溶媒溶液を形成する工程、熱交換器(28)によりオゾン-溶媒溶液を第2の温度に加熱する工程、およびオゾン-溶媒溶液の流れを、物質(38)の処理のため分配ノズル(36)に向ける工程を具備する、物質を処理する方法および装置。
Claim (excerpt):
第1の温度で、オゾン-溶媒溶液を形成する工程、および オゾン-溶媒溶液を第2の温度で物質と反応させる工程 を具備し、前記第1の温度は前記第2の温度より低く、比較的低い第1の温度は溶媒中の溶解オゾン濃度の増加を促進し、比較的高い第2の温度はオゾン-溶媒溶液と前記物質との間の反応速度の増加を促進する、物質を処理する方法。
IPC (5):
H01L 21/304 647
, H01L 21/304 651
, B08B 3/08
, B08B 7/00
, C03C 23/00
FI (5):
H01L 21/304 647 Z
, H01L 21/304 651 B
, B08B 3/08
, B08B 7/00
, C03C 23/00 A
F-Term (23):
3B116AA02
, 3B116AA03
, 3B116AB02
, 3B116AB34
, 3B116AB47
, 3B116BB02
, 3B116BB24
, 3B116BB34
, 3B116BB82
, 3B201AA02
, 3B201AA03
, 3B201AB02
, 3B201AB34
, 3B201AB47
, 3B201BB02
, 3B201BB24
, 3B201BB34
, 3B201BB82
, 3B201BB95
, 3B201BB98
, 4G059AA08
, 4G059AB19
, 4G059AC30
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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特開平4-192319
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離型層形成方法及び離型層形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-351391
Applicant:株式会社ソニー・ディスクテクノロジー
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特開平1-130785
-
金属配線の処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-223445
Applicant:三菱電機株式会社
-
ウエット処理方法及び処理装置並びに回転洗浄方法及び回転洗浄装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-064019
Applicant:株式会社フロンテック, 大見忠弘, オルガノ株式会社
-
特開平3-072995
-
熱処理前のクリーニング法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-217273
Applicant:エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
-
金属配線およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-149514
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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