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J-GLOBAL ID：200903010184045460

GaP系半導体発光素子

Inventor： 鈴木 金吾 ,  池田 均 ,  金子 康継
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 菅原 正倫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001263843
Publication number (International publication number)：2003078162
Application date： Aug. 31, 2001
Publication date： Mar. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】 間接遷移型の発光形態においても十分な輝度の向上が可能であるGaP系半導体発光素子を提供する。【解決手段】 GaP系の半導体基体70において、p型層側の主面を第一主表面10、その反対側の主面を第二主面11とする。第二主面には、ラッピングした後、王水でエッチングすることにより、光の全反射を向上させるための、半導体基体70の内側に凸となる鏡面状の凹曲面51を集合形成させ、他方、半導体基体70における第一接触層62の形成領域と第二主面11以外に、異方性エッチングにより、光の全反射を低減させるための、外側に凸となる凸曲面53を集合形成させる。さらに、第二主面11に形成される第二接触層64(第二電極63)を、Au、SiおよびNiよりなる合金より形成し、第一主表面10に形成される第一接触層62を、Auと、BeもしくはZnとの合金より形成する。

Claim (excerpt)：

p-n接合を有するGaP系の半導体基体と、該半導体基体に発光駆動電圧を印加させるための電極とを有し、前記半導体基体のp型層側の主面を第一主面、その反対側の主面を第二主面とし、前記半導体基体の第一主面および側面には、外側に凸となる凸曲面が集合した粗面が形成され、かつ前記第二主面は、王水でエッチングして形成された鏡面であることを特徴とするGaP系半導体発光素子。

F-Term (7)：

5F041AA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA37 ,  5F041CA63 ,  5F041CA85 ,  5F041CB15 ,  5F041DA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 特開昭59-023579
  
• 特公昭52-038397
  
• 半導体発光素子の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-108171   Applicant：ローム株式会社
• 発光ダイオ-ド及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-373153   Applicant：信越半導体株式会社
• 発光素子用GaPエピタキシャル基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-059131   Applicant：昭和電工株式会社
• 特開昭56-120174
  
• 半導体発光素子および発光ランプ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-069421   Applicant：三洋電機株式会社
• 化合物半導体のオーム性電極及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-320448   Applicant：信越半導体株式会社