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J-GLOBAL ID：200903075892968522

半導体装置

Inventor：
高橋 豊誠

About 高橋 豊誠

, 
川口 均

About 川口 均


Applicant, Patent owner：
住友ベークライト株式会社

About 住友ベークライト株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002005832
Publication number (International publication number)：2003209205
Application date： Jan. 15, 2002
Publication date： Jul. 25, 2003
Summary：
【要約】【課題】 温度サイクル信頼性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体素子に接して絶縁樹脂層を有する半導体装置であって、絶縁樹脂層が、温度サイクル試験における内部応力値(σ)に対して、温度サイクル試験の冷却温度における破断応力(D)が3.0倍以上である絶縁樹脂からなることを特徴とする半導体装置である。また、素子が、半導体ウェハからなるもであっても良く、片面のみに形成された半導体装置であっても良い。更には、半導体電極と外部接続用電極を導通する再配線回路、および、外部接続用電極を有する半導体装置である。
Claim (excerpt)：
半導体素子に接して絶縁樹脂層を有する半導体装置であって、絶縁樹脂層が、温度サイクル試験において式(1)により得られる内部応力値(σ)に対して、温度サイクル試験の冷却温度における破断応力(D)が3.0倍以上である絶縁樹脂からなることを特徴とする半導体装置。【数1】但し、σは内部応力、Eresin(T)は温度T°Cにおける樹脂の弾性率、αresin(T)は温度T°Cにおける樹脂の線膨張係数、αsi(T)は温度T°Cにおける半導体素子の線膨張係数、Tgは絶縁樹脂のガラス転移温度、T1は温度サイクル試験の冷却温度を示す。
IPC (2)：
H01L 23/29 ,  H01L 23/31
F-Term (5)：
4M109CA10 ,  4M109EA02 ,  4M109EA15 ,  4M109EB03 ,  4M109EC03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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