半導体力学量センサ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：伊藤洋二 , 三浦高広
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007148077
Publication number (International publication number)：2007279056
Application date： Jun. 04, 2007
Publication date： Oct. 25, 2007
Summary：

【課題】センサ素子部の外周部に存在する外周部による寄生容量によってセンサ感度が低下するのを防止する。【解決手段】支持用基板とこの支持用基板の上に形成された素子形成膜200とから構成され、素子形成膜200は、素子形成膜200に形成された溝を介して、可動部2Aを有し該可動部2Aの変位に伴う容量変化を検出するセンサ素子部と、該センサ素子部の外周に配置された外周部201とに画定されており、外周部201には、外周部201の電位を固定する手段202が備えられている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

支持用基板(1、301)とこの支持用基板の上に形成された素子形成膜(200、302)とから構成され、前記素子形成膜は、前記素子形成膜に形成された溝を介して、可動部(2A)を有し該可動部の変位に伴う容量変化を検出するセンサ素子部と、該センサ素子部の外周に配置された外周部(201、313)とに画定されており、前記外周部には、前記外周部の電位を固定する手段(202、350〜352)が備えられていることを特徴とする半導体力学量センサ。

IPC (2)：

G01P 15/125 , H01L 29/84

FI (2)：

G01P15/125 Z , H01L29/84 Z

F-Term (20)：

2F105BB02 , 2F105BB03 , 2F105CC04 , 2F105CD03 , 2F105CD13 , 4M112AA02 , 4M112BA07 , 4M112CA21 , 4M112CA24 , 4M112CA31 , 4M112CA33 , 4M112DA02 , 4M112DA16 , 4M112DA18 , 4M112EA03 , 4M112EA06 , 4M112EA07 , 4M112EA11 , 4M112EA18 , 4M112FA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

半導体力学量センサとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-019192 Applicant：株式会社デンソー
半導体加速度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-306276 Applicant：三菱電機株式会社
加速センサ及び加速センサの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-022429 Applicant：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング

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Cited by examiner (7)

半導体加速度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-306276 Applicant：三菱電機株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-022429 Applicant：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
特表平5-508914

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