多重浮彫要素スタンプと選択的付加圧力を利用したUVナノインプリントリソグラフィ法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：北村修一郎 , 山▲崎▼ 徹也
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004569953
Publication number (International publication number)：2006521682
Application date： Jun. 19, 2003
Publication date： Sep. 21, 2006
Summary：

本発明は基板上にナノ構造物を形成するためのUVナノインプリントリソグラフィ法に関する。本発明によるUVナノインプリントリソグラフィ法は、基板上面にレジストを塗布する工程と、形成しようとする基板上のナノ構造物に対応するナノ構造物が表面に形成されたスタンプを常温でレジスト上面に接触させ所定の低圧力で基板の方向に加圧する工程と、紫外線をレジストに照射する工程と、スタンプをレジストから分離する工程と、レジストが塗布された基板の上面をエッチングする工程とを含む。前記スタンプは少なくとも二つの要素スタンプと、互いに隣接した要素スタンプ相互間に形成された溝であって、各々の要素スタンプ上に形成されたナノ構造物の深さよりさらに深い溝とを有する多重浮彫要素スタンプであることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上にナノ構造物を形成するためのUVナノインプリントリソグラフィ法において、基板上面にレジストを塗布する工程と、形成しようとする前記基板上のナノ構造物に対応するナノ構造物が表面に形成されたスタンプを常温で前記レジスト上面に接触させ所定の低圧力で前記基板の方向に加圧する工程と、紫外線を前記レジストに照射する工程と、前記スタンプを前記レジストから分離する工程と、前記レジストが塗布された基板の上面をエッチングする工程とを含み、前記スタンプは、少なくとも二つの要素スタンプと、互いに隣接した要素スタンプ相互間に形成された溝であって、前記各々の要素スタンプ上に形成された前記ナノ構造物の深さよりさらに深い溝とを有する多重浮彫要素スタンプであることを特徴とするUVナノインプリントリソグラフィ法。

IPC (4)：

H01L 21/027 , B82B 3/00 , B82B 1/00 , B81C 5/00

FI (4)：

H01L21/30 502D , B82B3/00 , B82B1/00 , B81C5/00

F-Term (1)：

5F046AA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

室温かつ低圧マイクロおよびナノ転写リソグラフィのためのテンプレート
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-566722 Applicant：ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム
スタンパー複製用盤の製造方法および光学記録媒体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-059045 Applicant：ソニー株式会社
インプリント・リソグラフィ・プロセスおよびシステム
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2004-529089 Applicant：モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド

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