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J-GLOBAL ID：200903076125537130

結晶化金属酸化物薄膜の製造方法及びその用途

Inventor： 土屋 哲男 ,  中島 智彦 ,  渡邊 昭雄 ,  熊谷 俊弥
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006219834
Publication number (International publication number)：2008044803
Application date： Aug. 11, 2006
Publication date： Feb. 28, 2008
Summary：

【課題】ガラスやシリコン基板上に結晶化したY2O3を含む薄膜形成を可能にし、性能が高い蛍光体薄膜材料の製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に形成されたY、Dy, Sm, Gd, Ho, Eu, Tm, Tb, Er, Ce Pr, Yb, La, Nd, Luからなる群れより選ばれる少なくとも一種類の希土類金属元素を含む有機金属薄膜または金属酸化物膜を、250〜600°Cの温度に保持し、波長200nm以下の紫外光を照射しつつ、結晶化を行うことを特徴とする結晶化金属酸化物薄膜の製造方法。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

基板上に形成された Y、Dy, Sm, Gd, Ho, Eu, Tm, Tb, Er, Ce Pr, Yb, La, Nd, Luからなる群れより選ばれる少なくとも一種類の希土類金属元素を含む有機金属薄膜または金属酸化物膜を、25〜600°Cの温度に保持し、波長200nm以下の紫外光を照射しつつ、結晶化を行うことを特徴とする結晶化金属酸化物薄膜の製造方法。

IPC (6)：

C01F 17/00 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316 ,  C09K 11/02 ,  C09K 11/78 ,  H01G 4/10

FI (6)：

C01F17/00 A ,  H01L21/312 A ,  H01L21/316 P ,  C09K11/02 A ,  C09K11/78 ,  H01G4/10

F-Term (48)：

4G076AA02 ,  4G076AB11 ,  4G076AC08 ,  4G076BA39 ,  4G076BG05 ,  4G076CA10 ,  4G076DA07 ,  4G076DA16 ,  4H001CA04 ,  4H001XA39 ,  4H001XA57 ,  4H001XA58 ,  4H001XA59 ,  4H001XA60 ,  4H001XA62 ,  4H001XA63 ,  4H001XA64 ,  4H001XA65 ,  4H001XA66 ,  4H001XA67 ,  4H001XA68 ,  4H001XA69 ,  4H001XA70 ,  4H001XA71 ,  4H001YA63 ,  5E082AB10 ,  5E082CC20 ,  5E082FG03 ,  5E082FG27 ,  5F058AC10 ,  5F058AD09 ,  5F058AF01 ,  5F058AF02 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG09 ,  5F058AH04 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF02 ,  5F058BF12 ,  5F058BF20 ,  5F058BF41 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• ナノ薄膜蛍光体及びその合成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-302962   Applicant：株式会社アルバック
• 蛍光体の製造方法およびその蛍光体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-032941   Applicant：科学技術振興事業団
• 特許公開2005-150416号公報
  
• 半導体基板とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-324275   Applicant：旭化成工業株式会社
• 特許2759125号明細書
  
• 金属酸化物の製造方法及び微細パターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-308644   Applicant：工業技術院長
• 複合酸化物膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-063295   Applicant：株式会社関西新技術研究所

Cited by examiner (9)

• 複合酸化物膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-063295   Applicant：株式会社関西新技術研究所
• 金属酸化物の製造方法及び微細パターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-308644   Applicant：工業技術院長
• 特開平3-252314
  
• 半導体基板とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-324275   Applicant：旭化成工業株式会社
• 蛍光体の製造方法およびその蛍光体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-032941   Applicant：科学技術振興事業団
• 誘電体膜の形成方法および誘電体膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-047621   Applicant：JSR株式会社, ウシオ電機株式会社, 株式会社オクテック
• ナノ薄膜蛍光体及びその合成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-302962   Applicant：株式会社アルバック
• 半導体集積回路装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-386202   Applicant：株式会社日立製作所
• 特許第2759125号
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Low-temperature growth of La0.8Sr0.2MnO3 thin films on LaAlO3 and SrTiO3 substrates by an excimer la