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J-GLOBAL ID：200903076220810412

マイクロビア電極構造の多次元位置検出型放射線センサー素子

Inventor：
山岸 秀志

About 山岸 秀志


Applicant, Patent owner：
日本原子力研究所

About 日本原子力研究所


Agent (6)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  桜井 周矩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003288346
Publication number (International publication number)：2005055372
Application date： Aug. 07, 2003
Publication date： Mar. 03, 2005
Summary：
【課題】 従来のMSGC型放射線センサーでは、絶縁基板表面上に50[μm]程度の狭い絶縁間隔で電極が配置されている結果、絶縁基板表面近傍のイオン群の移動に伴う絶縁基板下面のバックストリップへの電気誘導が表面の電極列によって大きく減損し、バックストリップ信号が極めて小さくなり、S/Nが小さくて、高い解像度のイメージング計測ができない課題があった。【解決手段】 二次元即ちX軸及びY軸の両方の電気信号を絶縁基板表面に設けられる電極から読み出す手段として、陽電極線を絶縁基板の裏面に配置し、それぞれの陽電極線 二次元即ちX軸及びY軸の両方の電気信号を絶縁基板表面に設けられる電極から読みから櫛状構造により絶縁基板の表面まで中空または柱状のマイクロビア(導電性微細貫通孔)で電極を出して、個々の表面に四角形、円形または楕円形状のバンプ(微細電極)を設け、表面上の陰電極線を陽電極線と直交する方向に、それぞれのバンプ列を2本の陰電極線によって挟む形で配置した構造を採用する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
絶縁基板表面上に陽電極及び陰電極を格子状に配置し、電極間でガス中の電子を増倍させて放射線を検出する原理に基づいた一次元または二次元放射線センサー素子において、絶縁基板表面上に少なくとも1本以上の陰電極線を配置し、絶縁基板裏面に陰電極線と直交する方向に少なくとも1本以上の陽電極線を配置して、陽電極線から絶縁基板表面上のそれぞれの陰電極線と陰電極線の間の絶縁基板露出部に少なくとも1本以上の内面が導電性薄膜で覆われたあるいは導電性材料で埋められた貫通孔(以下この貫通孔をマイクロビアと呼ぶ)を設けて、陽電極の長さ方向断面が櫛型構造をしていることを特徴とし、それぞれの陽電極線または陰電極線あるいは陽陰電極線の両方から電気パルス信号を取出した構造の放射線センサー素子。
IPC (1)：
G01T1/18
FI (2)：
G01T1/18 D ,  G01T1/18 A
F-Term (14)：
2G088EE30 ,  2G088FF02 ,  2G088FF09 ,  2G088GG03 ,  2G088GG05 ,  2G088JJ04 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ31 ,  2G088JJ32 ,  2G088JJ33 ,  2G088JJ36 ,  2G088LL11 ,  2G088LL12 ,  2G088LL18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
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