Pat

J-GLOBAL ID：200903076248245966

半導体の製造方法及び半導体装置

Inventor： 長谷川 義晃 ,  石橋 明彦 ,  辻村 歩 ,  木戸口 勲 ,  宮永 良子 ,  上山 智 ,  粂 雅博 ,  伴 雄三郎
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998054634
Publication number (International publication number)：1999251687
Application date： Mar. 06, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系半導体に急峻なドーパントプロファイルを持つp-n接合を形成できるようにする。【解決手段】 サファイアよりなる基板10の上には、n型GaNよりなるn型コンタクト層12、n型Al0.1 Ga0.9 Nよりなるn型クラッド層13、GaNよりなる第1の光ガイド層14、In0.20Ga0.80Nよりなる量子井戸活性層15及びGaNよりなる第2の光ガイド層16が順次形成されている。第2の光ガイド層16の上面には膜厚が20nmでp型ドーパントであるMgとn型ドーパントであるSiとがコドープされたAl0.1 Ga0.9 Nよりなる拡散抑制層17が形成され、該拡散抑制層17の上面にはp型Al0.1 Ga0.9 Nよりなるp型クラッド層18が形成されている。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム系半導体と格子整合されない基板上にアンドープ又はn型窒化ガリウム系半導体よりなる第1の半導体層を形成する工程と、前記第1の半導体層の上に窒化ガリウム系半導体よりなる第2の半導体層をp型ドーパントとn型ドーパントとをコドープしながら形成する工程と、前記第2の半導体層の上にp型窒化ガリウム系半導体よりなる第3の半導体層を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体の製造方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-070873   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-092017   Applicant：豊田合成株式会社
• p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-357046   Applicant：日亜化学工業株式会社
• III族窒化物発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-222848   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 半導体発光素子の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-187341   Applicant：ローム株式会社
• 特開平4-199587