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J-GLOBAL ID：200903076468778728

浸炭用ガス製造装置

Inventor：
武田 豊

About 武田 豊

, 
中津 裕之

About 中津 裕之


Applicant, Patent owner：
中外炉工業株式会社

About 中外炉工業株式会社


Agent (1)： 松川 克明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004199954
Publication number (International publication number)：2006022357
Application date： Jul. 07, 2004
Publication date： Jan. 26, 2006
Summary：
【課題】 処理材を高速で浸炭処理するのに用いる一酸化炭素ガスの濃度が高い浸炭用ガスを簡単な設備で効率よく安定して製造できるようにする。ことを課題とするものである。【解決手段】 触媒層22が設けられた耐熱性の反応筒21内に原料ガスGaを導き、この原料ガスを加熱させながら触媒層内を通して反応させ、一酸化炭素ガスを含む浸炭用ガスGbを製造する浸炭用ガス製造装置20において、上記の原料ガスに炭化水素ガスGa1と酸素Ga2とを用い、原料ガス供給管25を通してこの原料ガスを上記の反応筒内に供給するようにした。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
触媒層が設けられた耐熱性の反応筒内に原料ガスを導き、この原料ガスを加熱させながら触媒層内を通して反応させ、一酸化炭素ガスを含む浸炭用ガスを製造する浸炭用ガス製造装置において、上記の原料ガスに炭化水素ガスと酸素とを用い、原料ガス供給管を通してこの原料ガスを上記の反応筒内に供給するようにしたことを特徴とする浸炭用ガス製造装置。
IPC (4)：
C23C 8/20 ,  C01B 31/20 ,  C21D 1/06 ,  C21D 1/76
FI (4)：
C23C8/20 ,  C01B31/20 A ,  C21D1/06 A ,  C21D1/76 J
F-Term (8)：
4G146JA01 ,  4G146JB02 ,  4G146JC03 ,  4G146JC20 ,  4G146JC22 ,  4G146JC34 ,  4K028AA01 ,  4K028AC08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (8)
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