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J-GLOBAL ID：200903080201902389
薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997031917
Publication number (International publication number)：1998229197
Application date： Feb. 17, 1997
Publication date： Aug. 25, 1998
Summary：
【要約】【課題】歩留りの低下や表示不良の発生を防止することが可能なアクティブマトリックス方式の表示装置を提供する。【解決手段】TFT106のゲート電極11および補助容量SCの補助容量電極12の断面形状は矩形状を成している。ゲート電極11および補助容量電極12の両側壁部には、SOG膜から成るサイドウォールスペーサ13が設けられている。従って、ゲート電極11の断面形状を、中央部が平坦で両端部が傾斜したテーパ形状とする必要がないことから、テーパ形状に起因する素子特性のバラツキを回避することができる。また、サイドウォールスペーサ13が設けられているため、ゲート電極11の両端のカド部分上に位置するゲート絶縁膜80の段差被覆性が良好になり、その部分のゲート絶縁膜80の膜厚が薄くなるのを防止することが可能になるため、ゲート電極11と多結晶シリコン膜81との間の絶縁耐圧を十分に確保することができる。
Claim (excerpt)：
絶縁基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極の両側壁部に形成されたサイドウォールスペーサと、絶縁基板とゲート電極およびサイドウォールスペーサの上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された能動層としての多結晶シリコン膜とを備えたボトムゲート構造をとる薄膜トランジスタ。
IPC (5)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
, G09F 9/30 338
, H01L 21/20
, H01L 21/336
H01L 29/78 617 K
, G02F 1/136 500
, G09F 9/30 338
, H01L 21/20
, H01L 29/78 627 G
Cited by examiner (5)
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