液晶表示装置の製造方法及びその製造方法による液晶表示装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡邉勇 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997091520
Publication number (International publication number)：1998041519
Application date： Mar. 26, 1997
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】多層構造の薄膜トランジスタを有する基板の表面が平坦であり、寄生容量が少なく、密着性不良の問題を解決し、又、開口率が向上した液晶表示装置を提供する。【解決手段】液晶表示装置において、基板111と、基板上のゲート113、ソース123、ドレイン127、半導体層119及びゲート絶縁層157を有するトランジスタと、トランジスタ上に形成される保護膜159とを備え、保護膜159及び/又はゲート絶縁層157は、フッ素が添加されたポリイミド、テフロン(登録商標)、Cytop、フルオロポリアリールエーテル, フッ素が添加されたp-キシレン, PFCB及びBCB中の少なくとも一つを含む。

Claim (excerpt)：

液晶表示装置において、基板と、前記基板上のゲート、ソース、ドレイン、半導体層及びゲート絶縁層を有するトランジスタと、前記トランジスタ上に形成される保護膜と、該保護膜は、フッ素が添加されたポリイミド、テフロン、Cytop、フルオロポリアリールエーテル, フッ素が添加されたp-キシレン, PFCB及びBCB中の少なくとも一つを含むことを特徴とする、液晶表示装置用のトランジスタ基板。

IPC (3)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500 , H01L 21/336

FI (7)：

H01L 29/78 619 A , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 612 C , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 617 T , H01L 29/78 617 U , H01L 29/78 619 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (16)

特開平4-163528
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-204085 Applicant：日本電気株式会社
有機硅素重合体と半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-327213 Applicant：富士通株式会社

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-349131 Applicant：キヤノン株式会社

特表平5-503112

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-258744 Applicant：富士通株式会社

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-156981 Applicant：ソニー株式会社

特開平4-206638

電気回路基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-334930 Applicant：キヤノン株式会社

薄膜トランジスタ及び液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-204896 Applicant：株式会社東芝

特開平2-263474

特開昭63-012172

特開平4-357877

薄膜トランジスタ用シングルチャンバCVDプロセス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-327116 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

特開昭62-140466

液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-045072 Applicant：株式会社東芝

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