不揮発性メモリ、半導体装置、およびその作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001022703
Publication number (International publication number)：2001298100
Application date： Jan. 31, 2001
Publication date： Oct. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】他の半導体装置との一体形成および小型化が可能な不揮発性メモリを提供する。【解決手段】不揮発性メモリを構成するメモリTFT、スイッチングTFT、および他の周辺回路をTFTでもって基板上に一体形成する。メモリTFTとスイッチングTFTとを同一の半導体活性層上に形成すること、及びメモリTFTの半導体活性層を、他のTFTの半導体活性層よりも薄く形成することによって、メモリTFTの低電圧書き込み/消去を実現することができ、劣化が起こりにくく、小型化が可能な不揮発性メモリが提供される。

Claim (excerpt)：

メモリTFTとスイッチングTFTとから成るメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイを少なくとも備えた不揮発性メモリであって、前記メモリTFTは、絶縁基板上に形成される第1の半導体活性層と、第1の絶縁膜と、フローティングゲート電極と、第2の絶縁膜と、コントロールゲート電極と、を少なくとも備えており、前記スイッチングTFTは、前記絶縁基板上に形成される第2の半導体活性層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を少なくとも備えており、前記メモリTFTと前記スイッチングTFTとは、前記絶縁基板上に一体形成され、前記第1の半導体活性層と前記第2の半導体活性層とは、連続的につながっており、前記第1の半導体活性層の厚さは、前記第2の半導体活性層の厚さよりも薄いことを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (10)：

H01L 21/8247 , H01L 27/115 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (9)：

G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 27/10 434 , H01L 27/10 671 C , H01L 29/78 371 , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 613 B , H01L 29/78 618 D , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-072672
不揮発性メモリおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-158315 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
分離トランジスタを有するEEPROMセルとその製造・動作方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-090134 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド

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