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J-GLOBAL ID：200903076788652870

受光素子の感度制御方法、強度変調光を用いた空間情報の検出装置

Inventor： 橋本 裕介 ,  高田 裕司 ,  栗原 史和
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (2)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003103245
Publication number (International publication number)：2004309310
Application date： Apr. 07, 2003
Publication date： Nov. 04, 2004
Summary：

【課題】感光部とは別領域にスイッチ領域および記憶領域を設ける従来構成に比較して簡単な構造とし、従来構成よりも受光素子の開口率を大きくする。【解決手段】不純物を添加した半導体層11の主表面に絶縁膜12を介して複数個の制御電極13が配置される。半導体層11に光が入射すると半導体層11に電荷が生成され、制御電極13に制御電圧を印加しておけば、制御電極13に対応して形成されるポテンシャル井戸14に電荷が集積される。制御電圧を印加する制御電極13の個数を変化させると、ポテンシャル井戸14が受光面に占める面積が変化する。ポテンシャル井戸14に集積された電荷は信号電荷として外部に取り出されるから、制御電圧を印加する制御電極13の個数を変化させることにより、受光素子1の感度を実質的に変化させたことになる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

受光強度に対応する量の電荷を発生する感光部と、感光部に設けた制御電極への制御電圧の印加により感光部に形成され感光部で発生した電荷の少なくとも一部を集積する電荷集積部と、電荷集積部に集積した電荷を受光出力として外部に取り出す電荷取出部とを備える受光素子において受光感度を制御する方法であって、感光部の受光面に沿った面内での電荷集積部の面積が変化するように制御電極への制御電圧を変化させることを特徴とする受光素子の感度制御方法。

IPC (5)：

G01B11/00 ,  G01C3/06 ,  H01L27/14 ,  H01L31/10 ,  H04N5/335

FI (5)：

G01B11/00 B ,  G01C3/06 Z ,  H04N5/335 Q ,  H01L31/10 H ,  H01L27/14 Z

F-Term (56)：

2F065AA02 ,  2F065AA06 ,  2F065DD04 ,  2F065DD09 ,  2F065FF01 ,  2F065FF04 ,  2F065FF09 ,  2F065FF13 ,  2F065FF32 ,  2F065FF41 ,  2F065FF64 ,  2F065GG06 ,  2F065GG07 ,  2F065GG15 ,  2F065JJ01 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ18 ,  2F065JJ26 ,  2F065NN08 ,  2F065NN11 ,  2F065PP22 ,  2F065QQ25 ,  2F065UU02 ,  2F112AD01 ,  2F112BA07 ,  2F112BA09 ,  2F112CA12 ,  2F112DA25 ,  2F112DA26 ,  2F112DA28 ,  2F112DA32 ,  2F112EA03 ,  2F112FA01 ,  4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB03 ,  4M118BA12 ,  4M118CA08 ,  4M118DB09 ,  4M118DB10 ,  4M118DB16 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FC03 ,  4M118FC04 ,  4M118GA03 ,  4M118GA05 ,  5C024EX56 ,  5C024GX06 ,  5C024GY01 ,  5F049MA15 ,  5F049NA20 ,  5F049NB05 ,  5F049RA02 ,  5F049SE11 ,  5F049SE20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

• 強度変調された照射野の検出及び復調のための装置及び方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平8-515673   Applicant：ライカアーゲー
• 特開昭64-069050
  
• 固体撮像装置及びその制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-036924   Applicant：オリンパス光学工業株式会社
• 特許第3832441号
  
• 特許第3758618号
  
• 電磁波の位相及び振幅を検出するための装置並びに方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-550151   Applicant：シュワルテルドルフ
• 光センサおよび三次元形状計測装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-071617   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 電磁波の位相情報および/または振幅情報を調べるための方法と装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平10-512124   Applicant：シュヴァルトルドルフ

Cited by examiner (8)

• 強度変調された照射野の検出及び復調のための装置及び方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平8-515673   Applicant：ライカアーゲー
• 特開昭64-069050
  
• 固体撮像装置及びその制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-036924   Applicant：オリンパス光学工業株式会社
• 強度変調光を用いた空間情報の検出装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-051926   Applicant：松下電工株式会社
• 特許第3758618号
  
• 電磁波の位相及び振幅を検出するための装置並びに方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-550151   Applicant：シュワルテルドルフ
• 光センサおよび三次元形状計測装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-071617   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 電磁波の位相情報および/または振幅情報を調べるための方法と装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平10-512124   Applicant：シュヴァルトルドルフ

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• "Demodulation Pixels in CCD and CMOS Technologies for Time-of-Flight Ranging"
• "New optical four-quadrant phase-detector integrated into a photogate array for small and precise 3D
• "The Lock-In CCD-Two-Dimensional Synchronous Detection of Light"

Cited by examiner (1)

• "Demodulation Pixels in CCD and CMOS Technologies for Time-of-Flight Ranging"