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J-GLOBAL ID：200903077044386370

面発光型半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： 森 克己 ,  近藤 貴幸 ,  佐藤 淳史
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993044557
Publication number (International publication number)：1994181364
Application date： Feb. 09, 1993
Publication date： Jun. 28, 1994
Summary：

【要約】【構成】 面発光半導体レーザは共振器の一部がII-VI族化合物半導体エピタキシャル層で埋め込まれ、光出射側反射ミラーが、III-V族化合物半導体からなる第1の層と、該第1の層と屈折率の異なるIII-V族化合物半導体からなる第2の層とを交互に積層し、該第2の層上に光出射口を設けたリング状金属電極を形成し、かつ該光出射口上に誘電体からなる第3の層と、該第3の層と屈折率の異なる誘電体からなる第4の層とを交互に積層して構成される複合型多層膜ミラーから構成されている。【効果】 電極下の共振器の反射率を増加させることが可能となり、これにより共振器内の光の多重反射の効率が落ちないので、高効率な面発光型半導体レーザを提供することができる。

Claim (excerpt)：

基板に垂直な方向に光を出射する面発光型半導体レーザにおいて、一対の反射ミラーとそれらの間の複数層の半導体層とを有し、前記半導体層のうちの少なくとも1層が1本または複数本の柱状に形成されている光共振器と、柱状の前記半導体層の周囲に埋め込まれたII-VI族化合物半導体エピタキシャル層と、を含み、前記反射ミラーのうちの光出射側反射ミラーは、III-V族化合物半導体からなる第1の層と、該第1の層と屈折率の異なるIII-V族化合物半導体からなる第2の層とを交互に積層し、該第2の層上に光出射口を設けた金属電極を形成し、かつ該光出射口上に誘電体からなる第3の層と、該第3の層と屈折率の異なる誘電体からなる第4の層とを交互に積層して構成される複合型多層膜反射ミラーであることを特徴とする面発光型半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-130690
  
• 特開平1-000001
  
• 特開平4-263482