炭化けい素半導体素子の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：篠部正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998174284
Publication number (International publication number)：2000012482
Application date： Jun. 22, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】炭化けい素半導体素子製造のため、イオン注入をおこない、更にダメージ回復と不純物活性化のため1500°C以上のアニールをおこなう際の、炭化けい素基板表面の粗面化による素子特性の劣化を防止する。【解決手段】炭化けい素基板のイオン注入層3表面上に、減圧CVD法により多結晶シリコン膜4を堆積し、アニールをおこなった後、多結晶シリコン膜4をふっ硝酸で溶解除去して、初期の表面粗さを保つ。多結晶シリコン膜と炭化けい素膜、多結晶シリコン膜とアルミナ膜を堆積しても良い。

Claim (excerpt)：

炭化けい素基板にイオン注入を行い、高温でアニールを実施する炭化けい素半導体素子の製造方法において、イオン注入後、基板表面にシリコンを接触させてアニールを行い、その後そのシリコンを除去することを特徴とする炭化けい素半導体素子の製造方法。

FI (2)：

H01L 21/265 Z , H01L 21/265 602 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

炭化けい素半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-239798 Applicant：富士電機株式会社
特開昭62-214624
炭化けい素半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-229332 Applicant：富士電機株式会社

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