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J-GLOBAL ID：200903077322831887

大気圧プラズマ発生装置とプラズマ処理方法及び装置

Inventor： 辻 裕之 ,  井上 和弘
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 石原 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006280341
Publication number (International publication number)：2008098059
Application date： Oct. 13, 2006
Publication date： Apr. 24, 2008
Summary：

【課題】被処理物の処理箇所のみに対して、安定して効率的にかつ簡単な構成及び制御にて生産性良く処理を行う。【解決手段】反応空間11内にガスを供給するとともに高周波電界を印加して一次プラズマ16を発生し、好ましくはこの一次プラズマ16を混合ガス領域20に衝突させて二次プラズマ21を発生し、発生した二次プラズマ21を吹き出し口から吹き出すプラズマヘッド10において、プラズマヘッド10の吹き出し口近傍に吸引口22を設け、この吸引口22を開閉制御手段25を介して吸引手段23に接続し、開閉制御手段25の開閉制御によってプラズマの吹き出しとその停止を行うようにした。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

反応空間内にガスを供給するとともに高周波電界を印加して大気圧プラズマを発生し、発生した大気圧プラズマを吹き出し口から吹き出すプラズマヘッドと、プラズマヘッドの吹き出し口近傍に設けられた吸引口に接続された吸引手段と、吸引口と吸引手段との間の吸引通路に配設された開閉制御手段とを備えたことを特徴とする大気圧プラズマ発生装置。

IPC (3)：

H05H 1/24 ,  C23C 16/513 ,  H01L 21/304

FI (3)：

H05H1/24 ,  C23C16/513 ,  H01L21/304 645C

F-Term (2)：

4K030FA01 ,  4K030KA30

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• プラズマ処理システム及びプラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-344736   Applicant：松下電工株式会社

Cited by examiner (4)

• 放電プラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-387906   Applicant：積水化学工業株式会社
• プラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-393835   Applicant：松下電器産業株式会社
• 表面処理方法及びその装置、半導体装置の製造方法及びその装置、並びに液晶ディスプレイの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-142398   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 実装基板クリーニング方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-352303   Applicant：松下電器産業株式会社