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J-GLOBAL ID:200903077500615174

結合ウェーハの製造方法及びこの方法により製造される結合ウェーハ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山本 亮一 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996060451
Publication number (International publication number):1997252100
Application date: Mar. 18, 1996
Publication date: Sep. 22, 1997
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 SOIウェーハの膜厚のばらつきを均質化し、加工精度の高いSOIウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 2枚のシリコン鏡面ウェーハのうち、少なくとも一方のウェーハ鏡面に酸化膜を形成した後、その鏡面同士を相互に接触させて接合し、次いで加熱処理を加えてシリコンの結合ウェーハを製造する方法において、用いる2枚のシリコン鏡面ウェーハのうち少なくとも一方に、ウェーハ裏面の表面凹凸あるいはウェーハ裏面と接する研磨治具の表面形状の影響を受けない研磨加工を予め施すことを特徴とする結合ウェーハの製造方法。
Claim (excerpt):
2枚のシリコン鏡面ウェーハのうち、少なくとも一方のウェーハ鏡面に酸化膜を形成した後、その鏡面同士を相互に接触させて接合し、次いで加熱処理を加えてシリコンの結合ウェーハを製造する方法において、用いる2枚のシリコン鏡面ウェーハのうち少なくとも一方に、ウェーハ裏面の表面凹凸あるいはウェーハ裏面と接する研磨治具の表面形状の影響を受けない研磨加工を予め施すことを特徴とする結合ウェーハの製造方法。
IPC (4):
H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/304 321
FI (4):
H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/302 P
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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