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J-GLOBAL ID:200903077688526408
セラミックヒータ及びその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
廣田 浩一 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001191516
Publication number (International publication number):2003007433
Application date: Jun. 25, 2001
Publication date: Jan. 10, 2003
Summary:
【要約】【課題】 半導体製造装置等に好適であり、放電加工時に使用した放電ワイヤーの素材元素の表面への転移がなく、耐熱衝撃性を向上させ、熱衝撃によるクラックの発生のない高品質なセラミックヒータ、及び該セラミックヒータを効率よく製造し得る方法の提供。【解決手段】 渦巻き状に切断した炭化ケイ素焼結体に対し1000°C以上でアニール処理を行うセラミックヒータの製造方法である。前記アニール処理の温度が1350°C以上である態様、前記アニール処理の温度が1400〜1550°Cである各態様などが好ましい。前記セラミックヒータの製造方法により製造されるセラミックヒータである。放電加工で使用した放電ワイヤーの素材元素の付着量が5×1010原子/cm2以下、前記曲げ強さ試験法(JIS 1601)により測定した曲げ強度が700MPa以上、前記密度が2.9g/cm3以上である各態様などが好ましい。
Claim (excerpt):
ヒータ状に切断した炭化ケイ素焼結体に対し1000°C以上でアニール処理を行うことを特徴とするセラミックヒータの製造方法。
IPC (5):
H05B 3/14
, C04B 35/565
, C04B 35/64
, H05B 3/20 328
, H05B 3/74
FI (6):
H05B 3/14 C
, H05B 3/20 328
, H05B 3/74
, C04B 35/56 101 X
, C04B 35/56 101 Y
, C04B 35/64 M
F-Term (28):
3K034AA04
, 3K034AA15
, 3K034AA31
, 3K034BB06
, 3K034BB14
, 3K034JA10
, 3K092PP20
, 3K092QA05
, 3K092QB09
, 3K092QB31
, 3K092QB44
, 3K092QB71
, 3K092RF03
, 3K092RF11
, 3K092RF17
, 3K092VV31
, 4G001BA22
, 4G001BA78
, 4G001BB22
, 4G001BC42
, 4G001BC54
, 4G001BC71
, 4G001BD01
, 4G001BD03
, 4G001BD04
, 4G001BD14
, 4G001BE31
, 4G001BE35
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
-
特開平2-175659
-
特開昭63-025275
-
炭化ケイ素構造体の製造方法および該製造方法による炭化ケイ素構造体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-231574
Applicant:株式会社ブリヂストン
-
特開昭62-078176
-
炭化ケイ素焼結体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-348570
Applicant:株式会社ブリヂストン
-
半導体製造用炭化珪素焼結体の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-006264
Applicant:住友金属工業株式会社, 株式会社ブリヂストン
-
ヒーター部品
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-231468
Applicant:株式会社ブリヂストン
-
測温ウエハ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-261794
Applicant:株式会社ブリヂストン
-
ウエハ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-079557
Applicant:株式会社ブリヂストン
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