不揮発性半導体記憶装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996213699
Publication number (International publication number)：1998065024
Application date： Aug. 13, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】トンネル絶縁膜の膜厚を薄くすることなくトンネル時間を短くすることができ、メモリ動作の高速化をはかる。【解決手段】ゲート電極17とチャネル13の間に記憶情報電荷を蓄積するナノメートルスケールのSi微粒子から構成される電荷蓄積層15を有し、電子をチャネル13より電荷蓄積層15に注入して情報書き込みを行うnチャネルMOSFET構造の不揮発性半導体記憶装置において、チャネル13の直下に正孔を供給するための高濃度のP+ 型電荷供給層19を設け、この電荷供給層19から正孔をチャネル13を介して電荷蓄積層15に注入し、極性の異なる電荷同士を再結合させることにより記憶情報の消去を行う。

Claim (excerpt)：

ゲート電極とチャネルの間に記憶情報電荷を蓄積するナノメートルスケールの導電性微粒子から構成される電荷蓄積層を有し、電子又は正孔からなる第1の電荷をチャネルより電荷蓄積層に注入して情報書き込みを行うMISFET構造の不揮発性半導体記憶装置において、前記チャネルに隣接した位置に、情報書き込み時に用いた第1の電荷とは逆極性の第2の電荷を供給する高濃度の電荷供給層を有し、この電荷供給層から第2の電荷を前記チャネルを介して前記電荷蓄積層に注入し、極性の異なる電荷同士を再結合させることにより記憶情報の消去を行うことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/02 , H01L 27/115

FI (3)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 307 Z , H01L 27/10 434

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体記憶装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-116394 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-211187 Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
半導体素子およびこれを用いた半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-291638 Applicant：株式会社日立製作所

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